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J-GLOBAL ID：201202222781601594   整理番号：12A0507756

化学的機械研磨過程における3Dウェハトポグラフィーで起きた接触圧力分布の解析モデル

An Analytical Model of Contact Pressure Distribution Caused by 3-D Wafer Topography in Chemical-Mechanical Polishing Processes

著者 (1件)： WU Lixiao (Lanzhou Univ. Technol., Lanzhou, CHN)
資料名： Journal of the Electrochemical Society  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 159  号： 3  ページ： H266-H276  発行年： 2012年 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文で,ウェハとパッド間の3D接触圧力分布を解析的方法で検討した。3Dの剛体-半弾性半空間接触モデルを構築した。線形弾性理論に基づき,ウェハとパッド間の接触圧力分布に対する解析式を演繹した。解析モデルにより得られた式はFEMシミュレーションの成績と一致することが分かった。化学的機械研磨(CMP)系のW(ω_αα,ω_β)の大きさスペクトルが式から得られ,FEモデルから計算された値と比較した。影響因子W(ω_αα,ω_β)を得るために式を用いるのは簡単であり,FEモデルを用いるよりもCMPプロセスを解析するのが容易であった。

シソーラス用語： *化学研磨 ,  ウエハ【IC】 ,  平坦性 ,  *半導体材料 ,  三次元 ,  トポグラフィー【形態】 ,  剛体 ,  弾性 ,  接触圧 ,  *圧力分布 ,  *解析モデル ,  モデル ,  有限要素法 ,  数値解析 ,  シミュレーション ,  因子 ,  Fourier変換 ,  Young率 ,  Poisson比 ,  *化学機械研磨
準シソーラス用語： FEM解析 ,  影響因子 ,  *化学的機械研磨 ,  数値シミュレーション ,  有限要素モデル

分類 (5件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  研削  (QC03000R) ,  その他の表面処理  (WC08070F) ,  潤滑一般  (QB02010S) ,  固体の機械的性質一般  (BL01021C)

タイトルに関連する用語 (6件)： 化学的機械研磨 ,  過程 ,  3D ,  接触圧力 ,  分布 ,  解析モデル