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J-GLOBAL ID：201202222939076085   整理番号：12A0549248

酸化銅ナノワイヤを使ったグラフェンナノリボンのパターニング

Patterning graphene nanoribbons using copper oxide nanowires

著者 (2件)： SINITSKII Alexander (Dep. of Chemistry, Rice Univ., Houston, Texas 77005, USA) ,  TOUR James M. (Dep. of Chemistry, Rice Univ., Houston, Texas 77005, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 10  ページ： 103106-103106-3  発行年： 2012年03月05日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： エッチマスクとして酸化銅ナノワイヤを使ったグラフェンナノリボン(GNR)の作製法を紹介する。これらエッチマスクは多数の利点があることを実証した。これらは,空気中で銅箔を単に加熱するだけで合成でき,溶液からグラフェン上へ堆積でき,それらは酸素プラズマに不活性であり,そして弱酸中の溶解により基板から除去できる。素子配置のGNRを作製し,それらの電気特性を試験した。プラズマエッチング時間を応じて,オン-オフ比が>50の標準的な両性電界効果,あるいはp型トランジスタ挙動のいずれかを見せるGNR素子が作製できた。狭いGNRに基づいて得られた素子は有望な電子特性を見せることを実証した。これらはGNR素子が必要な研究に利用できる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 炭素材 ,  ナノ構造 ,  リボン結晶 ,  酸化銅 ,  ナノワイヤ ,  *パターン形成 ,  銅箔 ,  P型半導体 ,  RIE【エッチング】 ,  電流電圧特性 ,  ドレイン【半導体】 ,  ソース【半導体】 ,  *薄膜トランジスタ ,  *グラフェン
準シソーラス用語： *ナノリボン

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 酸化銅 ,  ナノワイヤ ,  グラフェンナノリボン ,  パターニング