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J-GLOBAL ID：201202223003601230   整理番号：12A1245848

酸化インジウム亜鉛を基本とするトランジスターにおける負バイアス印加ストレスによって誘起される不安定性の異常な振る舞い:陽イオンコンビナトリアル法

Anomalous behavior of negative bias illumination stress instability in an indium zinc oxide transistor: A cation combinatorial approach

著者 (9件)： OH Seungha (Dep. of Materials Sci. and Engineering, WCU Hybrid Materials Program, and Inter-university Semiconductor Res. Center ...) ,  SEOB YANG Bong (Dep. of Materials Sci. and Engineering, WCU Hybrid Materials Program, and Inter-university Semiconductor Res. Center ...) ,  JANG KIM Yoon (Dep. of Materials Sci. and Engineering, WCU Hybrid Materials Program, and Inter-university Semiconductor Res. Center ...) ,  SOOK OH Myeong (Dep. of Materials Sci. and Engineering, WCU Hybrid Materials Program, and Inter-university Semiconductor Res. Center ...) ,  JANG Mi (Dep. of Advanced Fiber Engineering and Optoelectronic Hybrid Center, Inha Univ., Incheon 402-751, KOR) ,  YANG Hoichang (Dep. of Advanced Fiber Engineering and Optoelectronic Hybrid Center, Inha Univ., Incheon 402-751, KOR) ,  KYEONG JEONG Jae (Dep. of Materials Sci. and Engineering and Optoelectronic Hybrid Center, Inha Univ., Incheon 402-751, KOR) ,  SEONG HWANG Cheol (Dep. of Materials Sci. and Engineering, WCU Hybrid Materials Program, and Inter-university Semiconductor Res. Center ...) ,  JOON KIM Hyeong (Dep. of Materials Sci. and Engineering, WCU Hybrid Materials Program, and Inter-university Semiconductor Res. Center ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 9  ページ： 092107-092107-5  発行年： 2012年08月27日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,IZO薄膜を基本とするトランジスター(TFT)の性能と安定性に対する酸化インジウム亜鉛中におけるインジウムの組成比の効果を試験した。Inの組成比が増すと,電界効果移動度とサブスレッショウルドスイングは大幅に改善される;ZnOを基本とするTFTの電界効果移動度とサブしきい値スイングが,それぞれ1.1cm²/Vsおよび2.4V/ディケードであるのに対して,85原子%のInを含むTFTの値は,それぞれ41.0cm²/Vsおよび0.2V/ディケードであることが分かった。対照的に,Inの組成比が73~77原子%近傍の極小値として与えられる負バイアス照射ストレスによって誘起される不安定性が観測された。この振る舞いはIZO薄膜における多結晶から非晶質相への構造相転移によって説明される。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： インジウム化合物 ,  *亜鉛化合物 ,  金属酸化物 ,  *トランジスタ ,  *キャリア移動度 ,  化学組成 ,  *不安定性 ,  構造相転移 ,  多結晶 ,  非晶質 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  コンビナトリアルケミストリー ,  カチオン ,  *バイアス
準シソーラス用語： *酸化インジウム亜鉛 ,  電界効果移動度 ,  負バイアス

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： 酸化インジウム亜鉛 ,  トランジスター ,  バイアス ,  印加 ,  ストレス ,  誘起 ,  不安定性 ,  陽イオン ,  コンビナトリアル法