ポリオキソ金属酸塩-修正 ホウ素ドープ ダイヤモンド電極

KONDO Takeshi; TANIGUCHI Yuichi; YUASA Makoto; KAWAI Takeshi; KAWAI Takeshi

文献

J-GLOBAL ID：201202223144059588 整理番号：12A1440864

ポリオキソ金属酸塩-修正ホウ素ドープダイヤモンド電極

Polyoxometalate-Modified Boron-Doped Diamond Electrodes

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資料名：
巻： 51 号： 9,Issue 1 ページ： 090121.1-090121.7 発行年： 2012年09月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

光化学修正法によって修正したホウ素-ドープダイヤモンド(BDD)表面上にポリオキソ金属酸塩を固定した。表面上に四元アンモニウム群を形成するためBDD表面を最初に allyltriethylammonium臭化物(ATAB)で修正した。PMo₁₂-吸着ATAB-BDD(PMo₁₂-ATAB-BDD)を作るため,ATAB-BDDを,それからリンモリブデン酸(H₃PMo₁₂O₄₀ PMo₁₂と表記)溶液に浸した。ATAB-BDD上の四ベンアンモニウム群とPMo₁₂の間の静電相互作用が安定した固定化に重要であると考えらた。ポリオキソ金属酸塩-修正BDDを,また,ホスホン酸で終端したBDDから作った。最初にBDDを vinylphosphonic酸(VPA)で修正し,続いてlacunaryリンモリブデン酸(PMox)群を生成するアンモニウム・モリブデン酸塩と表面ホスホン酸基の反応が起こる。PMox-BDDのPMox群の被覆はPMo₁₂-ATAB-BDDの被覆より少ないが,PMox-BDDはPMo₁₂-ATAB-BDDよりポテンシャルサイクルにより安定していることが分かり,共有結合修正法がダイヤモンド上に安定官能基をつくるのに有効であることを示した。(翻訳著者抄録)

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電気化学反応

引用文献 (53件)：

1) W. S. Yang, O. Auciello, J. E. Butler, W. Cai, J. A. Carlisle, J. Gerbi, D. M. Gruen, T. Knickerbocker, T. L. Lasseter, J. N. Russell, L. M. Smith, and R. J. Hamers: Nat. Mater. 1 (2002) 253.
2) T. Strother, T. Knickerbocker, J. N. Russell, J. E. Butler, L. M. Smith, and R. J. Hamers: Langmuir 18 (2002) 968.
3) T. Kondo, Y. Niwano, A. Tamura, T. A. Ivandini, Y. Einaga, D. A. Tryk, A. Fujishima, and T. Kawai: Electroanalysis 20 (2008) 1556.
4) T. Kondo, Y. Niwano, A. Tamura, J. Imai, K. Honda, Y. Einaga, D. A. Tryk, A. Fujishima, and T. Kawai: Electrochim. Acta 54 (2009) 2312.
5) C. E. Nebel, N. J. Yang, and H. Uetsuka: Surf. Sci. 603 (2009) L5.

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