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J-GLOBAL ID：201202223151242878   整理番号：12A0850411

Co₂₀Fe₆₀B₂₀フリーレイヤーの磁気異方性の面内に容易軸を有するMgOベース磁気トンネル接合におけるキャップ層に対する依存性

Dependence of Magnetic Anisotropy in Co₂₀Fe₆₀B₂₀ Free Layers on Capping Layers in MgO-Based Magnetic Tunnel Junctions with In-Plane Easy Axis

著者 (8件)： YAMAMOTO Hiroyuki (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  HAYAKAWA Jun (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  MIURA Katsuya (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  MIURA Katsuya (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  ITO Kenchi (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  MATSUOKA Hideyuki (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  IKEDA Shoji (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  OHNO Hideo (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 5  号： 5  ページ： 053002.1-053002.3  発行年： 2012年05月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Co₂₀Fe₆₀B₂₀薄膜における垂直磁気異方性(PMA)の隣接するTa,RuそしてMgOに対する依存性を面内磁気トンネル接合(MTJs)のスイッチング電流Jc0を低減する目的で調べた。MgO層は面内容易軸Co₂₀Fe₆₀B₂₀薄膜の面外飽和磁界(H_s)を,強いPMAをCo₂₀Fe₆₀B₂₀/MgO界面で誘発させることにより減少させる。PMAは,異なるキャップ層を有するCo₂₀Fe₆₀B₂₀膜の結晶性によってはあまり影響を受けない。MgOキャップ層を有するMTJはRuキャップ層を有するものよりも低いJC0を示し,それはH_sの減少と一致している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 磁気異方性 ,  *トンネル接合 ,  *鉄合金 ,  コバルト含有合金 ,  ホウ素含有合金 ,  酸化マグネシウム ,  *磁性薄膜 ,  電流 ,  軸方向 ,  *磁化特性 ,  保護膜 ,  *磁気トンネル接合 ,  磁化容易軸
準シソーラス用語： スイッチング電流 ,  キャップ層

分類 (1件)： 金属結晶の磁性  (BM06040T)

引用文献 (30件)：

• YUASA, S. Jpn. J. Appl. Phys. 2004, 43, L588
• YUASA, S. Nat. Mater. 2004, 3, 868
• PARKIN, S. S. Nat. Mater. 2004, 3, 862
• DJAYAPRAWIRA, D. D. Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 092502
• HAYAKAWA, J. Jpn. J. Appl. Phys. 2005, 44, L587

タイトルに関連する用語 (7件)： レイヤー ,  磁気異方性 ,  容易軸 ,  MgO ,  磁気トンネル接合 ,  キャップ層 ,  依存性