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J-GLOBAL ID：201202223201489160   整理番号：12A0238101

アニール無しインジウム-ガリウム-亜鉛-酸化物薄膜トランジスタに基づく高性能光消去可能メモリと実時間紫外線検出器

High-Performance Light-Erasable Memory and Real-Time Ultraviolet Detector Based on Unannealed Indium-Gallium-Zinc-Oxide Thin-Film Transistor

著者 (2件)： CHEN Wei-Tsung (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  ZAN Hsiao-Wen (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 33  号： 1  ページ： 77-79  発行年： 2012年01月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アモルファスインジウム-ガリウム-亜鉛-酸化物(a-IGZO)薄膜トランジスタ(TFTs)は,高移動度と低温プロセスの利点があり,アクティブマトリクスディスプレイ用デバイスとして期待されている。しかし,a-IGZO TFTsは,ポストアニーリング無しでは閾値電圧がバイアスストレスにより容易にシフトすることが問題である。本稿では,このポストアニーリング無しの不安定な特性を利用した光消去可能メモリと光検出器を提案した。書込み時にIGZO内の欠陥が電子捕獲中心として働き,負ゲートバイアスと紫外線照射により消去ができる。書込み/消去後,試験時間1万秒に対してオンオフ比10⁴以上が維持された。実時間紫外線検出器を開発し,ほぼ10⁴の明暗比が得られた。

シソーラス用語： 化合物半導体 ,  薄膜トランジスタ ,  キャリア移動度 ,  半導体プロセス ,  液晶ディスプレイ ,  *不揮発性メモリ ,  データ消去 ,  紫外線照射 ,  スイッチング ,  *紫外検出器 ,  電子捕獲
準シソーラス用語： *IGZO【半導体】 ,  アクティブマトリクス液晶ディスプレイ ,  オンオフ比 ,  紫外線検出器 ,  低温プロセス ,  閾値電圧

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (10件)： アニール ,  インジウム ,  ガリウム ,  亜鉛 ,  酸化物薄膜 ,  トランジスタ ,  高性能 ,  消去 ,  実時間 ,  紫外線検出器