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J-GLOBAL ID：201202223205804451   整理番号：12A0539897

ホウ素をデルタドープしたダイヤモンド構造のよりシャープなトップ界面のためのその場エッチングバックプロセス

In situ etching-back processes for a sharper top interface in boron delta-doped diamond structures

著者 (7件)： FIORI Alexandre ,  TRAN THI Thu Nhi ,  CHICOT Gauthier ,  JOMARD Francois ,  OMNES Franck ,  GHEERAERT Etienne ,  BUSTARRET Etienne
資料名： Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)
巻： 24  ページ： 175-178  発行年： 2012年04月 
JST資料番号： W0498A  ISSN： 0925-9635  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ホウ素によるダイヤモンドのデルタドーピングの主な課題の一つは,幅の最小化と高濃度にドープした極薄層と非意図的にドープした高移動度のエピ層との界面領域の構造的品質の最適化にある。本研究では,この問題に対するその場エッチングバックによるアプローチを示した。特に,トップ界面の慎重なSIMSプロファイリングから,高度なガス切り替えの手順と適当なその場O₂とH₂プラズマエッチングステップがホウ素濃度よりも3~4桁以上のdecade当たり2nm以下の立ち上がり深さを導いた。本研究の特徴は多層構造が全プロセスプロセス過程でマイクロ波プラズマを中断することなく得られることである。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ホウ素 ,  *δドーピング ,  ダイヤモンド型結晶 ,  超薄膜 ,  移動度 ,  層 ,  エピタクシー ,  *界面 ,  プラズマ ,  酸素 ,  水素 ,  *プラズマエッチング ,  二次イオン質量分析 ,  その場観察 ,  薄膜 ,  *プラズマCVD ,  マイクロ波放電 ,  多層構造 ,  *FET【トランジスタ】
準シソーラス用語： MPCVD ,  SIMS分析 ,  エピ層 ,  *ダイヤモンド構造 ,  *ダイヤモンド膜 ,  高移動度 ,  酸素プラズマ ,  水素プラズマ

分類 (3件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： ホウ素 ,  デルタドープ ,  ダイヤモンド構造 ,  トップ ,  界面