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J-GLOBAL ID：201202223298033832   整理番号：12A1165957

単一GaNナノカラムでの電気伝導

Electric Conduction in a Single GaN Nanocolumn

著者 (8件)： KATO Yuya (Dep. of Physics, Sophia Univ., JPN) ,  NAKATA Youhei (Dep. of Physics, Sophia Univ., JPN) ,  KUROE Haruhiko (Dep. of Physics, Sophia Univ., JPN) ,  SEKINE Tomoyuki (Dep. of Physics, Sophia Univ., JPN) ,  KIKUCHI Akihiko (Dep. of Electrical and Electronics Engineering, Sophia Univ., JPN) ,  KISHINO Katsumi (Dep. of Electrical and Electronics Engineering, Sophia Univ., JPN) ,  AOKI Nobuyuki (Graduate School of Advanced Integration Sci., Chiba Univ., JPN) ,  OCHIAI Yuichi (Graduate School of Advanced Integration Sci., Chiba Univ., JPN)
資料名： e-Journal of Surface Science and Nanotechnology (Web)  (e-Journal of Surface Science and Nanotechnology (Web))
巻： 10  ページ： 355-359 (J-STAGE)  発行年： 2012年 
JST資料番号： U0016A  ISSN： 1348-0391  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単一GaNナノカラムでの電気伝導を調べたが,これをRFプラズマ支援分子ビームエピタクシー法で合成した。Ti/Al電極を,フォトリソグラフィーを用いてSiO₂/Si基板上の単一GaNナノカラムに取り付け,ohm接触を創製できた。大きな電流および低い温度で非線形伝導を観察した。抵抗の温度依存性は,高い温度でのドナー準位に起因して約11 meVの活性化エネルギーの活性型Iを示した。低温において,Mott可変領域ホッピング伝導を示した。低温で強力なポジティブ磁気抵抗効果を観察した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  ナノ構造 ,  柱状晶 ,  *MBE成長 ,  *RF放電 ,  チタン ,  アルミニウム ,  電極材料 ,  ケイ素 ,  基板 ,  フォトリソグラフィー ,  Ohm接触 ,  *電気伝導率 ,  非線形性 ,  磁気抵抗 ,  温度依存性 ,  電流電圧特性 ,  図化 ,  数値解析 ,  *ホッピング伝導 ,  二酸化ケイ素
準シソーラス用語： シリカ ,  Arrheniusプロット ,  *RF-MBE ,  ナノコラム ,  数値計算解析 ,  分子ビームエピタクシー法

分類 (4件)： 塩  (CD01050V) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  その他の無機化合物の結晶構造  (BK07030J) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (3件)： GaN ,  ナノカラム ,  電気伝導