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J-GLOBAL ID：201202223324962758   整理番号：12A0840041

80MeV酸素イオンで照射されたZnOのランダム方位ナノロッド(RON)を使用したナノ接合の異常な整流応答

Unusual Rectifying Response of Nanojunctions Using Randomly Oriented Nanorods (RON) of ZnO Irradiated with 80-MeV Oxygen Ions

著者 (2件)： BAYAN Sayan (Tezpur Univ., Nanoscience and Soft Matter Lab., Dep. of Physics, PO Napaam, 784 028, Tezpur, Assam, IND) ,  MOHANTA Dambarudhar (Tezpur Univ., Nanoscience and Soft Matter Lab., Dep. of Physics, PO Napaam, 784 028, Tezpur, Assam, IND)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 41  号： 7  ページ： 1955-1961  発行年： 2012年07月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,照射無しと80MeV酸素イオン(O⁶⁺)照射したランダム方位ZnOナノロッドのSchottky特性の改良について報告した。漏れ電流は明らかに低いが,このナノ接合の整流性が室温電流電圧(I-V)測定から明らかになった。照射したナノロッドを使用した場合,Ag/ZnOナノ接合のSchottky障壁高さ(Φ_B)は,理想因子(η)が17.7から6.9に減少すると共に,0.78eVから0.95eVに増加することが分かった。これは,光ルミネセンス分光法により,創造と消滅事象による元の欠陥状態の再構成と改変のためであることが分かった。Φ_Bとηのフルエンス依存変化は欠陥のドナーとアクセプタ型間の競争に帰された。Schottky接触の電流輸送メカニズムは,移動度と弾道領域における再結合トンネリングと空間電荷制約伝導により支配されていることが分かった。Copyright 2012 TMS Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  化合物半導体 ,  *イオン照射 ,  *ナノロッド ,  接合 ,  ナノ構造 ,  Schottky障壁 ,  漏れ電流 ,  整流 ,  フルエンス ,  輸送現象 ,  トンネル効果
準シソーラス用語： トンネリング ,  ナノ接合 ,  酸化物半導体 ,  電流輸送 ,  理想因子

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： 酸素イオン ,  ZnO ,  方位 ,  ナノロッド ,  ナノ接合 ,  整流 ,  応答