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J-GLOBAL ID：201202223554580935   整理番号：12A1287421

分子ビームエピタクシーにより高温で成長させたサイト制御したInAs量子ドットの大きさ制限効果

Size-Limiting Effect of Site-Controlled InAs Quantum Dots Grown at High Temperatures by Molecular Beam Epitaxy

著者 (5件)： CHA Kyu Man (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  HORIUCHI Isao (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SHIBATA Kenji (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  HIRAKAWA Kazuhiko (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  HIRAKAWA Kazuhiko (JST-CREST, Saitama, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 5  号： 8  ページ： 085501.1-085501.3  発行年： 2012年08月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 原子間力顕微鏡(AFM)支援陽極酸化を用いてInAs量子ドットのサイト制御した成長を調べた。サイト制御した量子ドットの形態は成長温度が≦480°Cのとき成長温度に強く依存し,得られた量子ドットはAFM酸化により作製したナノホールよりも遥かに大きかった。対照的に,520°Cの成長温度で量子ドットを成長させると,量子ドットの直径はナノホールの直径により制限され,InAs供給を変えてもほぼ不変であった。520°Cで成長させた単層量子ドットアレイは良好な光学的性質と均一性を示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： MBE成長 ,  *ヒ化インジウム ,  半導体材料 ,  *量子ドット ,  アノード酸化 ,  ナノ構造 ,  細孔 ,  温度依存性 ,  温度
準シソーラス用語： ナノホール ,  成長温度

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (5件)： 分子ビームエピタクシー ,  成長 ,  InAs量子ドット ,  大きさ ,  制限