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J-GLOBAL ID：201202223577631685   整理番号：12A1006100

斜軸CMPにより誘起される原子ステップはSiC表面の電気的性質に影響を及ぼす

The atomic step induced by off angle CMP influences the electrical properties of the SiC surface

著者 (5件)： TANAKA Yayoi (Nagoya Inst. Technol., Aichi, JPN) ,  KANDA Takao (POVALKOGYO CO., Ltd., Aichi, JPN) ,  NAGATOSHI Kazuyuki (FUJIMI INC., Aichi, JPN) ,  YOSHIMURA Masamichi (Toyota Technological Inst., Aichi, JPN) ,  ERYU Osamu (Nagoya Inst. Technol., Aichi, JPN)
資料名： Materials Science Forum  (Materials Science Forum)
巻： 717/720  号： Pt.1  ページ： 569-572  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0716B  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (5件)： CMP ,  誘起 ,  原子 ,  SiC ,  電気的性質