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J-GLOBAL ID：201202223804875235   整理番号：12A0460954

高性能非極性および半極性発光デバイスの材料と成長の問題点

Materials and growth issues for high-performance nonpolar and semipolar light-emitting devices

著者 (5件)： FARRELL R M (Univ. California, CA, USA) ,  YOUNG E C (Univ. California, CA, USA) ,  WU F (Univ. California, CA, USA) ,  DENBAARS S P (Univ. California, CA, USA) ,  SPECK J S (Univ. California, CA, USA)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 27  号： 2  ページ： 024001,1-14  発行年： 2012年02月 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 現在市場に出回っているIII-窒化物発光ダイオード(LED)とレーザダイオード(LD)はウルツ鉱型結晶構造の(0001)c面上成長のデバイスであり,分極に関連した電場の存在に影響を受けている。この電場は,放射再結合速度の低下やピーク放射波長の青方偏移,電荷キャリアの漏れなどのいくつかの問題を起すことが知られている。2006年以降,すなわち高品質自立非極性および半極性GaN基板の導入以降,非極性および半極性デバイスが大幅に改善された。しかし,非極性および半極性III-窒化物半導体に特有の材料の問題点は,まだ十分に解明されておらず,最近になってやっとm面のピラミッド状ヒロックや基板ミス配向の影響が研究され始めた。本稿では,高品質自立GaN基板上に成長した高性能非極性および半極性発光デバイスに特有な材料と成長の問題点をレビューした。

シソーラス用語： ウルツ鉱型結晶 ,  *発光ダイオード ,  *半導体レーザ ,  *窒化ガリウム ,  誘電分極 ,  基板 ,  非極性 ,  貫通転位 ,  キャリア再結合 ,  結晶方位 ,  *結晶成長 ,  *半導体薄膜 ,  結晶面 ,  半導体 ,  極性半導体
準シソーラス用語： ヒロック

分類 (3件)： 発光素子  (NC03082G) ,  半導体レーザ  (BD04070L) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 高性能 ,  非極性 ,  半極性 ,  発光デバイス ,  成長 ,  問題点