文献

J-GLOBAL ID：201202223840046300   整理番号：12A0653151

532nmピコ秒レーザによるガラス基板上Ti膜の選択パターン形成と罫書き

Selective patterning and scribing of Ti thin film on glass substrate by 532 nm picosecond laser

著者 (3件)： YUNG K. C. (The Hong Kong Polytechnic Univ., Dep. of Industrial and Systems Engineering, Hung Hom, Kowloon, Hong Kong, P.R. China) ,  CAI Zhixiang (The Hong Kong Polytechnic Univ., Dep. of Industrial and Systems Engineering, Hung Hom, Kowloon, Hong Kong, P.R. China) ,  CHOY H. S. (The Hong Kong Polytechnic Univ., Dep. of Industrial and Systems Engineering, Hung Hom, Kowloon, Hong Kong, P.R. China)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 107  号： 2  ページ： 351-355  発行年： 2012年05月 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本報では,ガラス基板上に被覆されたTi膜の532nmピコ秒レーザ罫書の実現可能性を研究した。膜側と透明基板側からレーザ照射を実施し,比較した。光学顕微鏡法,SEM,表面スタイラス,接触抵抗測定から,最適化したプロセスパラメータの使用によりガラス基板を損傷させることなしにTi膜を完全に除去できることが分かった。前側からの罫書きによる完全な膜除去閾値は120mJ/cm³であり,裏面罫書きでの完全除去のための最小レーザフルエンスは70mJ/cm³であった。前面から罫書きされた線は熱影響ゾーン,ぶれ,マイクロクラックなどの明らかな熱効果を示した。裏面罫書きは熱効果がなく,罫書き速度も1000mm/sと高かった。Ti膜の裏面罫書きは有望である。Copyright 2012 Springer-Verlag Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *パルスレーザ照射 ,  *罫書き ,  *チタン ,  金属薄膜 ,  閾値 ,  フルエンス ,  熱影響 ,  裏面 ,  *パターン形成
準シソーラス用語： *ピコ秒レーザ ,  ガラス基板

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  レーザ照射・損傷  (BK16040S)

タイトルに関連する用語 (5件)： ピコ秒レーザ ,  ガラス基板 ,  Ti膜 ,  パターン形成 ,  罫書き