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J-GLOBAL ID：201202223980449935   整理番号：12A1216994

14nmノード設計三重パターン形成の意味合いと,パターン形成

Implications of triple patterning for 14nm node design and pattering

著者 (6件)： LUCAS Kevin (Synopsys Inc., TX, USA) ,  CORK Chris (Synopsys Inc., Montbonnot, FRA) ,  YU Bei (Univ. Texas, TX, USA) ,  LUK-PAT Gerry (Synopsys Inc., CA, USA) ,  PAINTER Ben (Synopsys Inc., OR, USA) ,  PAN David Z. (Univ. Texas, TX, USA)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 8327  ページ： 832703.1-832703.12  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 来るべき14nm論理回路ノードは約44nm~50nmの最小ピッチで複雑な配置パターンのリソグラフィーパターン形成を必要とする。14nm論理回路ノードの後部層パターン形成のために主要193nm液浸リソグラフィ-選択肢の背景情報と分析を行った。次に,このノードの潜在的三重パターン形成(TPT)の多くのプロセス要件と課題を検討した。14nmノードで種々のEDA/マスク合成要件とアルゴリズムを詳細に調べた。

シソーラス用語： *フォトリソグラフィー ,  回路設計 ,  パターン形成 ,  設計 ,  論理回路 ,  超小形回路
準シソーラス用語： ノード設計 ,  *液浸リソグラフィー ,  三重パターン形成

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： ノード ,  設計 ,  パターン形成