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J-GLOBAL ID：201202224291448154   整理番号：12A1154451

TaN-Al₂O₃-InP金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタの電気的特性に及ぼすSF₆プラズマ処理の効果

Effects of SF₆ plasma treatment on electrical characteristics of TaN-Al₂O₃-InP metal-oxide-semiconductor field-effect transistor

著者 (5件)： WANG Yanzhen (Microelectronics Res. Center, Dep. of Electrical and Computer Engineering, The Univ. of Texas at Austin, Austin ...) ,  CHEN Yen-ting (Microelectronics Res. Center, Dep. of Electrical and Computer Engineering, The Univ. of Texas at Austin, Austin ...) ,  XUE Fei (Microelectronics Res. Center, Dep. of Electrical and Computer Engineering, The Univ. of Texas at Austin, Austin ...) ,  ZHOU Fei (Microelectronics Res. Center, Dep. of Electrical and Computer Engineering, The Univ. of Texas at Austin, Austin ...) ,  LEE Jack C. (Microelectronics Res. Center, Dep. of Electrical and Computer Engineering, The Univ. of Texas at Austin, Austin ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 6  ページ： 063505-063505-4  発行年： 2012年08月06日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文において,InP基板上のAl₂O₃のSF₆プラズマ処理の効果を研究した。駆動電流,有効チャネル移動度,相互コンダクタンス,閾値スイングなどを含む電気的特性を,異なる電力(P=30あるいは50W),異なる時間(t=3,5,あるいは7分)のSF₆プラズマ処理による素子に関して比較した。7nm Al₂O₃(EOT~3.4nm及びW/L=600μm/10μm)を有するInP基板上の素子に関して,電力=30W,5分プラズマ処理により,最大駆動電流は,60.2μA/μmまで20%増加し,有効チャネル移動度は,1099cm²/Vまで36.7%まで増大した。より良い酸化物品質及びより低い界面トラップ密度が,最適持続時間の最適電力におけるSF₆プラズマ処理により実現されるように,S及びF原子が,Al₂O₃バルク及びAl₂O₃/InP界面に組み込まれると考えた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MOSFET ,  *酸化アルミニウム ,  *プラズマ処理 ,  電流 ,  相互コンダクタンス ,  *リン化インジウム ,  時間依存性 ,  酸化物
準シソーラス用語： ゲートスタック ,  窒化タンタル ,  *駆動電流 ,  *チャネル移動度 ,  閾値スイング ,  電力依存性 ,  界面トラップ

分類 (4件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  プラズマ応用  (BJ02110K)

タイトルに関連する用語 (5件)： 酸化物 ,  電界効果トランジスタ ,  電気的特性 ,  SF6 ,  プラズマ処理