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J-GLOBAL ID：201202224316105753   整理番号：12A1439329

スピンオン有機ハードマスク材料のためのパターンウィグリング(wiggling)研究

Investigation of pattern wiggling for spin-on organic hardmask materials

著者 (15件)： WAKAMATSU Goji (JSR Micro, Inc., CA) ,  GOTO Kentaro (JSR Micro, Inc., CA) ,  HISHIRO Yoshi (JSR Micro, Inc., CA) ,  FURUKAWA Taiichi (JSR Corp., Mie, JPN) ,  MURAKAMI Satoru (JSR Corp., Mie, JPN) ,  MOTONARI Masayuki (JSR Corp., Mie, JPN) ,  YAMAGUCHI Yoshikazu (JSR Corp., Mie, JPN) ,  SHIMOKAWA Tsutomu (JSR Corp., Mie, JPN) ,  BREYTA Greg (IBM Almaden Res. Center, CA) ,  DESILVA Anuja (IBM Almaden Res. Center, CA) ,  ARELLANO Noel (IBM Almaden Res. Center, CA) ,  BOZANO Luisa D. (IBM Almaden Res. Center, CA) ,  SOORIYAKUMARAN Ratnam (IBM Almaden Res. Center, CA) ,  LARSON Carl E. (IBM Almaden Res. Center, CA) ,  GLODDE Martin (IBM T.J. Watson Res. Center, NY)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 8325  ページ： 83250T.1-83250T.9  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体製造技術は液浸リソグラフィからダブルパターニングまたはEUVリソグラフィに移りつつある。パターン転写技術と材料の改善が望まれており,CVDとスピンオンを含むアンダーレイヤー(UL)プロセスが重要な役目を果たしている。パターンが小さくなると基板エッチ時のパターンウィグリング問題が大きな課題になってくる。CVDプロセスはパターンウィグリング特性が良いがコスト高でギャップフィル特性が悪い。スピンオンプロセスはCVDの代替として期待されるがパターンウィグリング特性が良くない。本稿は,ULウィグリングのメカニズムを説明し,故障の仮定メカニズムすなわち,水素濃度,モジュラス,膜密度,電荷制御単位タイプ,熱抵抗,に対応する材料を合成した。そして材料特性とウィグル障害試験結果を検討した。

シソーラス用語： 半導体プロセス ,  *フォトリソグラフィー ,  *パターン転写 ,  化学蒸着 ,  マスク ,  濃度 ,  比率 ,  特性
準シソーラス用語： CVD【化学蒸着】 ,  アンダーレイヤー ,  ハードマスク ,  モジュラス ,  材料特性 ,  水素濃度

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (2件)： ハードマスク ,  研究