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J-GLOBAL ID:201202224324459440   整理番号:12A0437213

パルス真空アーク放電により成長させたW/WCNxバイレーヤに対する基板温度の影響

Substrate temperature influence on W/WCN x bilayers grown by pulsed vacuum arc discharge
著者 (5件):
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巻: 258  号: 12  ページ: 5100-5104  発行年: 2012年04月01日 
JST資料番号: B0707B  ISSN: 0169-4332  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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W/WCNx被膜を基板温度を室温から200°Cまで変えながらステンレス鋼304基板上に繰り返しパルス真空アーク放電を使用して作製した。W,C及びN濃度の基板温度依存性を決定するためにエネルギー分散X線分光(EDS)を使用した。CとNの間の競合が観測された。原子間力顕微鏡を利用して温度の関数として同じような傾向を示す厚さ及び結晶粒サイズを得た。X線回折はW及びα-WCN(六方晶)相を示した。全ての基板温度に対してRamanスペクトルを得た。それは1100~1700cm-1の領域にアモルファスカーボンによるD(不規則)及びG(グラファイト)バンドを示した。重要な結論として,基板温度は,W/WCNxバイレアの構造,化学組成及びモーフォロジーに強い影響-カーボンと窒素の競合により引き起こされる-をもつとした。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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