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J-GLOBAL ID：201202224518027525   整理番号：12A1692169

Ti₂AlN化合物ターゲットから高出力インパルスマグネトロンスパッタリング法で合成したナノ結晶薄膜

Nanocrystalline thin films synthesized from a Ti₂AlN compound target by high power impulse magnetron sputtering technique

著者 (9件)： ZHANG Teng Fei (School of Materials Sci. and Engineering, Pusan National Univ., Busan 609-735, KOR) ,  ZHANG Teng Fei (National Core Res. Center for Hybrid Materials Solution, Pusan National Univ., Busan 609-735, KOR) ,  WANG Qi Min (National Core Res. Center for Hybrid Materials Solution, Pusan National Univ., Busan 609-735, KOR) ,  WANG Qi Min (School of Electromechanical Engineering, Guangdong Univ. of Technol., Guangzhou 510006, CHN) ,  LEE Junghoon (School of Materials Sci. and Engineering, Pusan National Univ., Busan 609-735, KOR) ,  KE Peiling (Div. of Surface Engineering, Ningbo Inst. of Materials Technol. and Engineering, Chinese Acad. of Sciences, Ningbo ...) ,  NOWAK Roman (Nordic Hysitron Lab., Dep. of Materials Sci. & Engineering, Aalto Univ., 00076 Aalto, FIN) ,  KIM Kwang Ho (School of Materials Sci. and Engineering, Pusan National Univ., Busan 609-735, KOR) ,  KIM Kwang Ho (National Core Res. Center for Hybrid Materials Solution, Pusan National Univ., Busan 609-735, KOR)
資料名： Surface & Coatings Technology  (Surface & Coatings Technology)
巻： 212  ページ： 199-206  発行年： 2012年11月 
JST資料番号： D0205C  ISSN： 0257-8972  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ti₂AlN化合物ターゲットから高出力インパルスマグネトロンスパッタリング(HIPIMS)を用いてTi-Al-N膜を作製した。堆積温度およびバイアス電圧を,それぞれ室温(RT)から450°Cまでおよび0Vから-70Vまでの範囲で変化させた。RTおよび300°Cの低堆積温度において非晶質膜が形成され,800°Cで1hの真空アニール後,それはMAX相のTi₂AlN膜に変化する。主にTi₂AlNのMAX相と正方晶Ti₂N相から成る緻密に充填されたナノファイバー結晶膜が,450°Cの堆積温度で得られ,それは800°Cの真空アニール時に安定な膜構造を示した。HIPIMSとDCパルスマグネトロンスパッタリングによるハイブリッドコーティング装置により作製された同じTi/Al比とTiN膜の両方あるいは一方を持つ(Ti,Al)N膜と比較して,Ti₂AlN-Ti₂Nコンポジット膜は優れた酸化および腐食抵抗を示した。本研究ではTi₂AlN-Ti₂N膜の機械的特性も研究した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *アルミニウム化合物 ,  *チタン化合物 ,  *窒化物 ,  *蒸着膜 ,  *ナノ結晶 ,  *マグネトロンスパッタリング ,  *スパッタ蒸着 ,  析出 ,  反応温度 ,  電圧 ,  ウエハ【IC】 ,  アルミナ ,  単結晶 ,  非晶質 ,  結晶化 ,  層状化合物 ,  立方晶系 ,  ナノファイバ ,  複合膜 ,  耐酸化性 ,  耐食性 ,  微小硬さ ,  弾性係数 ,  残留応力 ,  電気化学的分極 ,  *セラミック被覆 ,  相組成 ,  焼なまし
準シソーラス用語： DCマグネトロンスパッタリング ,  MAX相 ,  ケイ素基板 ,  バイアス電圧 ,  *高出力インパルスマグネトロンスパッタリング ,  析出温度 ,  窒化チタン ,  *窒化チタンアルミニウム ,  動電位分極

分類 (2件)： 非金属材料へのセラミック被覆  (YC02040K) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (5件)： ターゲット ,  高出力 ,  インパルス ,  マグネトロンスパッタリング ,  ナノ結晶薄膜