文献

J-GLOBAL ID：201202224864393899   整理番号：12A0779248

AlN層の特性に及ぼす厚みおよびアンモニア流速の影響

The influence of thickness and ammonia flow rate on the properties of AlN layers

著者 (5件)： COEREKCI S. (Dep. of Physics, Fac. of Sci. and Arts, Kirklareli Univ., 39160 Kirklareli, TUR) ,  OEZTUERK M.k. (Dep. of Physics, Fac. of Sci. and Arts, Gazi Univ., Teknikokullar, 06500 Ankara, TUR) ,  CAKMAK M. (Dep. of Physics, Fac. of Sci. and Arts, Gazi Univ., Teknikokullar, 06500 Ankara, TUR) ,  OEZCELIK S. (Dep. of Physics, Fac. of Sci. and Arts, Gazi Univ., Teknikokullar, 06500 Ankara, TUR) ,  OEZBAY E. (Nanotechnology Res. Center, Dep. of Physics, Dep. of Electrical and Electronics Engineering, Bilkent Univ., 06800 ...)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 15  号： 1  ページ： 32-36  発行年： 2012年02月 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高分解能X線回折,走査電子顕微鏡法および原子間力顕微鏡法によってAlN層の構造的品質および表面形態に及ぼすアンモニア(NH₃)流速および層厚の影響を研究するため,有機金属化学蒸着によってc面サファイア基板上に非ドープAlN層を成長させた。低いAlN流速によりAlN層における対称(0002)面の結晶化度を改善する。アンモニア流速も表面品質と相関している。1分当りに70標準cm³の流速でピットフリーおよび平滑なAlN表面を得た。厚いAlN膜は非対称(1012)面の結晶化度を改善する。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *窒化アルミニウム ,  *膜厚 ,  *アンモニア ,  *半導体薄膜 ,  *流量 ,  *MOCVD ,  サファイア ,  基板 ,  表面構造 ,  高分解能 ,  X線回折 ,  走査電子顕微鏡 ,  原子間力顕微鏡 ,  結晶度 ,  流速

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： AlN ,  厚み ,  アンモニア ,  流速