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J-GLOBAL ID：201202224940695336   整理番号：12A1485863

高kゲートスタックにおける欠陥発生の多手法による検討

Multi-technique study of defect generation in high-k gate stacks

著者 (10件)： VEKSLER D. (SEMATECH Albany, NY, USA) ,  BERSUKER G. (SEMATECH Albany, NY, USA) ,  MADAN H. (Penn State Univ.) ,  VANDELLI L. (Univ. Modena and Reggio Emilia) ,  MINAKAIS M. (SEMATECH Albany, NY, USA) ,  MATTHEWS K. (SEMATECH Albany, NY, USA) ,  YOUNG C. D. (SEMATECH Albany, NY, USA) ,  DATTA S. (Penn State Univ.) ,  HOBBS C. (SEMATECH Albany, NY, USA) ,  KIRSCH P. D. (SEMATECH Albany, NY, USA)
資料名： Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium  (Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium)
巻： 2012 Vol.2  ページ： 496-500  発行年： 2012年 
JST資料番号： A0631A  ISSN： 1541-7026  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 一組の測定手法SILC,低周波雑音,これらの測定に関連するプロセスの物理的記述と結びついたパルスCVを,Si₂/HfO₂ゲートスタックにおける既存のストレス発生トラップを検討するために適用した。これらの手法で得られた解析結果の相互関係を示すことで,高k誘電・界面層の欠陥を同定した。高kゲートスタックのストレス誘起劣化が,Si₂界面層におけるトラップ発生が主な原因であることを見出した。

シソーラス用語： ゲート【半導体】 ,  *MOSFET ,  キャラクタリゼーション ,  漏れ電流 ,  低周波雑音 ,  容量電圧特性 ,  酸化ハフニウム ,  ケイ素 ,  電子 ,  捕獲 ,  境界層 ,  欠陥 ,  誘電体
準シソーラス用語： HfO2 ,  SILC ,  *ゲートスタック ,  トラップ【固体】 ,  界面層 ,  高k誘電体

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： ゲートスタック ,  欠陥 ,  手法