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J-GLOBAL ID：201202225222706148   整理番号：12A1328062

CuInS₂光吸収材を用いる薄膜太陽電池作成のための電気化学的に析出した銅層の構造制御

Structural regulation of electrochemically deposited copper layers for fabrication of thin film solar cells with a CuInS₂ photoabsorber

著者 (4件)： LEE Sun Min ,  IKEDA Shigeru ,  HARADA Yasunari Otsuka,Takashi ,  MATSUMURA Michio
資料名： Journal of Non-Crystalline Solids  (Journal of Non-Crystalline Solids)
巻： 358  号： 17  ページ： 2424-2427  発行年： 2012年09月01日 
JST資料番号： D0642A  ISSN： 0022-3093  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CuInS₂ベース太陽電池の作成のため,クエン酸とクエン酸ナトリウムを含むCuSO₄溶液からMo被覆ガラス(Mo/ガラス)基板上にCu相を電着した。クエン酸を含む溶液からの析出では,表面が粗く,緻密でない丸い粒子からなるCu層を生成し,クエン酸ナトリウムを含む溶液では,大きい角状粒からなる緻密なCu層を形成する。電気化学的研究によれば添加有機物は錯体形成剤として作用し,遊離Cu²⁺濃度を減らす。前者の緻密でないCu層から得たCuInS₂膜はMo/ガラスとの間で良好な付着性を示すが,後者の緻密なCu層から得たCuInS₂膜はCuとInの積層がCuInS₂に転換する場合に体積膨張応力を生成して剥離する。期待されるように,前者の緻密でないCu層を用いて作成した太陽電池,Al:ZnO/CdS/CuInS₂/Mo/ガラスは,後者の緻密なCu層を用いたものよりも良好な性質を示す。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *インジウム化合物 ,  *銅化合物 ,  *硫化物 ,  *太陽電池 ,  制御 ,  硫酸銅 ,  錯体生成 ,  電着 ,  銅 ,  形態 ,  表面構造 ,  材料 ,  モリブデン ,  脂肪族アルコール ,  脂肪族カルボン酸 ,  ヒドロキシ酸 ,  ポリカルボン酸 ,  カルボン酸塩
準シソーラス用語： 構造制御 ,  錯体形成 ,  *薄膜太陽電池 ,  表面モルフォロジー ,  *硫化インジウム銅 ,  光吸収材

分類 (3件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  電極過程  (CB07040U) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D)

物質索引 (2件)： クエン酸 ,  くえん酸ナトリウム

タイトルに関連する用語 (7件)： CuInS2 ,  光吸収材 ,  薄膜太陽電池 ,  電気化学 ,  析出 ,  銅層 ,  構造制御