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J-GLOBAL ID：201202225425882910   整理番号：12A1023638

走査型プローブを有する埋め込みTiN/Si界面での局所的相互拡散

Local interdiffusion at buried TiN/Si interfaces with scanning probes

著者 (8件)： CHEN C-H (National Synchrotron Radiation Res. Center, Hsinchu, TWN) ,  CHENG C-E (National Chung Cheng Univ., Chiayi, TWN) ,  CHENG C-E (Tunghai Univ., Taichung, TWN) ,  HSU C-C (National Chung Cheng Univ., Chiayi, TWN) ,  CHANG M-N (National Chung Hsing Univ., Taichung, TWN) ,  SHIU H W (National Synchrotron Radiation Res. Center, Hsinchu, TWN) ,  SHIU H W (National Tsing-Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHIEN F S-S (Tunghai Univ., Taichung, TWN)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 45  号： 21  ページ： 215307,1-5  発行年： 2012年05月30日 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この研究では,筆者らは埋め込み界面での横方向閉じ込め相互拡散を引き起こすため走査型プローブを使用する新しい方法を提示した。走査型プローブ酸化(SPO)はエタノール環境中のSi基板上で成長したTiN被覆層で実行された。エタノール中の酸素は,伝導性TiN_xO_yにTiNを変換してTiN被覆層上で駆動された。TiN_xO_yの形成とSiおよびTiの相互拡散はAuger電子分光法(AEM)および走査型光電子顕微鏡(SPEM)で特性評価された。微視的構造および電気特性評価は透過型電子顕微鏡法(TEM)および伝導性原子間力顕微鏡(CAFM)で行われた。伝導性TiN_xO_yはプローブとサンプルの間の接合を通してかなりの電流が流れることを可能にした。そして,Joule加熱がTiN_xO_yへのSi拡散のためのエネルギーを提供した。

シソーラス用語： *チタン化合物 ,  窒化物 ,  ケイ素 ,  界面 ,  *相互拡散 ,  *走査型プローブ顕微鏡 ,  被覆層 ,  酸化物 ,  Auger分光法 ,  電子顕微鏡観察 ,  原子間力顕微鏡 ,  透過型電子顕微鏡 ,  抵抗加熱
準シソーラス用語： Joule加熱 ,  光電子顕微鏡法 ,  窒化チタン

分類 (1件)： 固体中の拡散一般  (BL06021L)

タイトルに関連する用語 (7件)： 走査型 ,  プローブ ,  埋め込み ,  TiN ,  Si ,  界面 ,  相互拡散