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J-GLOBAL ID：201202225545967838   整理番号：12A1053021

窒素ドープシリコンにおける深部ドナーの外方拡散と空格子点の拡散率

Out-diffusion of deep donors in nitrogen-doped silicon and the diffusivity of vacancies

著者 (2件)： VORONKOV V. V. (MEMC Electronic Materials, via Nazionale 59, Merano BZ, ITA) ,  FALSTER R. (MEMC Electronic Materials, via Nazionale 59, Merano BZ, ITA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 112  号： 1  ページ： 013519-013519-4  発行年： 2012年07月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アニールした窒素ドープシリコン試料における強い抵抗率増大がずっと以前に報告された-しかし完全には理解されないままである。現在では,いくつかの関連化学種の外方解散に基づく単純な模型によって観測される抵抗率の深さプロファイルの複雑な発展を再現できることが示されている。そのようなアプローチの二つの変種を解析した:(A)VN(非中心置換窒素)として扱う深部ドナーの外方拡散,(B)VN₃の解離により生成される空格子点(V)と格子間3量体の外方拡散。変種Bは,より複雑であるが,1000°Cで導出した空格子点拡散率D_VがWatkinsが低温データから外挿した値と一致しているために魅力的である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  半導体 ,  *ドーピング ,  窒素 ,  *電気抵抗率 ,  深さ分布 ,  深い準位 ,  空格子点 ,  *固体内拡散

分類 (2件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  固体中の拡散一般  (BL06021L)

タイトルに関連する用語 (7件)： 窒素ドープ ,  シリコン ,  深部 ,  ドナー ,  外方拡散 ,  空格子点 ,  拡散率