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J-GLOBAL ID：201202225683703418   整理番号：12A0256801

高出力インパルスマグネトロンスパッタリングにおける定常状態放電の磁場制御による最適化

Steady state discharge optimization in high-power impulse magnetron sputtering through the control of the magnetic field

著者 (5件)： CAPEK J. (Dep. of Engineering Physics, Ecole Polytechnique de Montreal, P.O. Box 6079, Station Downtown, Montreal, Quebec H3C ...) ,  HALA M. (Dep. of Engineering Physics, Ecole Polytechnique de Montreal, P.O. Box 6079, Station Downtown, Montreal, Quebec H3C ...) ,  ZABEIDA O. (Dep. of Engineering Physics, Ecole Polytechnique de Montreal, P.O. Box 6079, Station Downtown, Montreal, Quebec H3C ...) ,  KLEMBERG-SAPIEHA J. E. (Dep. of Engineering Physics, Ecole Polytechnique de Montreal, P.O. Box 6079, Station Downtown, Montreal, Quebec H3C ...) ,  MARTINU L. (Dep. of Engineering Physics, Ecole Polytechnique de Montreal, P.O. Box 6079, Station Downtown, Montreal, Quebec H3C ...)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 111  号： 2  ページ： 023301  発行年： 2012年01月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高出力インパルスマグネトロンスパッタリング(HiPIMS)は典型的な100Wcm^-2以上の高出力密度ピークを利用するパルスDCスパッタリング技術である。このような高出力における放電作動はマグネトロンの配置(大きさと磁場)ならびに/またはターゲットの条件(すなわち物質と厚み)によって妨げられる。さらに,ターゲットの侵食は過程の再現性にかなりの影響を与える重要な要素である。この研究では,著者らはマグネトロン表面とターゲットの間に異なる厚さをもつ常磁性スペーサーを用いてターゲット磁場を制御することによって,HiPIMS放電を安定化する簡単な方法を提案する。著者らはNb,Ta,Cr,Al,Ti,Si,さらにC(グラファイト)のような種々のターゲット物質を利用した単純な放電最適化を示した。グラファイトターゲットと一般の他のターゲットにおける定常状態高密度放電の存在を磁場配置と気体の希薄化効果によって議論した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *放電 ,  *マグネトロンスパッタリング ,  状態 ,  *最適化 ,  磁場効果 ,  ターゲット ,  浸食 ,  スペーサ ,  グラファイト ,  ニオブ ,  タンタル ,  クロム ,  アルミニウム ,  チタン ,  ケイ素
準シソーラス用語： 定常状態

分類 (2件)： 気体放電  (BJ03020T) ,  スパッタリング  (BK16110U)

タイトルに関連する用語 (7件)： 高出力 ,  インパルス ,  マグネトロンスパッタリング ,  定常状態 ,  放電 ,  磁場 ,  最適化