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J-GLOBAL ID：201202225747965748   整理番号：12A0641851

二層型フタロシアニンGd錯体におけるゼロ磁場分裂の配位子酸化状態依存性の単結晶ESR測定による決定

著者 (4件)： 田鶴葵 (大阪大 大学院) ,  冬広明 (大阪大 大学院) ,  福田貴光 (大阪大 大学院) ,  石川直人 (大阪大 大学院)
資料名： 日本化学会講演予稿集  (日本化学会春季年会講演予稿集)
巻： 92nd  号： 2  ページ： 618  発行年： 2012年03月09日 
JST資料番号： S0493A  ISSN： 0285-7626  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： フタロシアニン(Pc)二層型Gd錯体はS=7/2のスピン基底状態を持つGd³⁺の上下にPcが配位している。この錯体は上下のPcが形式電荷2-のアニオン型とそこから二電子酸化したカチオン型が,共に分子と結晶の四回対称軸が一致する単結晶を形成する。この二つの状態においてカチオン型はアニオン型に比べ二つのPcが近づくことで配位子場が強くなると考えられる。これらのESRスペクトルを解析することで配位子場分裂の変化による基底副準位を決定する。(著者抄録)

シソーラス用語： *フタロシアニン錯体 ,  *ガドリニウム錯体 ,  *ゼロ磁場分裂 ,  *ESR【磁気共鳴】 ,  配位子場 ,  イットリウム錯体

分類 (1件)： 第3族元素の錯体  (CE01060J)

タイトルに関連する用語 (10件)： 二層 ,  フタロシアニン ,  Gd ,  錯体 ,  ゼロ磁場分裂 ,  配位子 ,  酸化 ,  状態依存性 ,  単結晶 ,  ESR