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J-GLOBAL ID：201202225794838274   整理番号：12A1348907

分子ビームエピタクシーによるGaP上のGaSbの歪解放と成長最適化

Strain relief and growth optimization of GaSb on GaP by molecular beam epitaxy

著者 (6件)： WANG Y (CIMAP, CNRS, Caen, FRA) ,  RUTERANA P (CIMAP, CNRS, Caen, FRA) ,  CHEN J (CIMAP, CNRS, Caen, FRA) ,  DESPLANQUE L (IEMN, CNRS, Villeneuve d’Ascq, FRA) ,  KAZZI S El (IEMN, CNRS, Villeneuve d’Ascq, FRA) ,  WALLART X (IEMN, CNRS, Villeneuve d’Ascq, FRA)
資料名： Journal of Physics. Condensed Matter  (Journal of Physics. Condensed Matter)
巻： 24  号： 33  ページ： 335802,1-7  発行年： 2012年08月22日 
JST資料番号： B0914B  ISSN： 0953-8984  CODEN： JCOMEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *MBE成長 ,  *リン化ガリウム ,  *アンチモン化ガリウム ,  化合物半導体 ,  格子歪 ,  緩和現象 ,  格子不整合 ,  形態 ,  表面構造 ,  *不整合転位 ,  *島状構造 ,  アンチモン化アルミニウム ,  ヒ化インジウム ,  素子構造 ,  基板温度 ,  成長速度 ,  高分解能電子顕微鏡 ,  バッファ層 ,  薄膜成長
準シソーラス用語： ヘテロ構造 ,  表面形態 ,  歪緩和

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 分子ビームエピタクシー ,  GAP ,  GaSb ,  歪解放 ,  成長 ,  最適化