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J-GLOBAL ID：201202225796548044   整理番号：12A0790038

極薄基板GeOI及びInGaAs-OI n-MOSFETのしきい値振動と静電完全性に及ぼす量子閉じ込めの影響

Impact of Quantum Confinement on Subthreshold Swing and Electrostatic Integrity of Ultra-Thin-Body GeOI and InGaAs-OI n-MOSFETs

著者 (4件)： YU Chang-Hung (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  WU Yu-Sheng (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  HU Vita Pi-Ho (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  SU Pin (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名： IEEE Transactions on Nanotechnology  (IEEE Transactions on Nanotechnology)
巻： 11  号： 2  ページ： 287-291  発行年： 2012年03月 
JST資料番号： W1355A  ISSN： 1536-125X  CODEN： ITNECU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： TCAD数値シミュレーションを用いて証明したSchroedinger方程式の解析解を用いて,量子閉じ込め(QC)を考慮して,極薄基板(UTB)ゲルマニウム・オン・インシュレータ(GeOI)及びヒ化ガリウムインジウム・オン・インシュレータ(InGaAs-OI) n-MOSFETの静電完全性(EI)を調べた。高移動度チャネルデバイスの電子伝導パスは,高いチャネル誘電率のためにフロントゲート界面から離れているが,量子閉じ込め効果のために,キャリア重心はフロントゲートの方に移動し,したがって,UTBデバイスのサブしきい値振動(SS)が改善されることが分かった。InGaAs,Ge,そして,Siチャネルは異なる量子化有効質量のために異なる程度の量子閉じ込めを示すので,サブしきい値振動及び静電完全性に関して,UTB InGaAs-OI,GeOI,そして,SOI MOSFET間で一対一の比較を行う時,量子閉じ込めの影響を考慮する必要がある。

シソーラス用語： *MOSFET ,  *SOI構造 ,  ゲルマニウム ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  閾値 ,  量子閉込め ,  素子構造 ,  超薄膜 ,  Schroedinger方程式 ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： InGaAs ,  極薄膜

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： MOSFET ,  しきい値 ,  完全性 ,  量子閉じ込め