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J-GLOBAL ID：201202225907788619   整理番号：12A1584272

表面粗さを低減させることによるレーザードープエミッターの電子的性質の改善

Improved Electronic Properties of Laser-Doped Emitters by Reducing Surface Roughness

著者 (5件)： NISHIMURA Hideki (Nara Inst. of Sci. and Technol. (NAIST), Nara, JPN) ,  HIRATA Kenji (Nara Inst. of Sci. and Technol. (NAIST), Nara, JPN) ,  HASEGAWA Mitsuhiro (Nara Inst. of Sci. and Technol. (NAIST), Nara, JPN) ,  KATAGIRI Takuya (Nara Inst. of Sci. and Technol. (NAIST), Nara, JPN) ,  FUYUKI Takashi (Nara Inst. of Sci. and Technol. (NAIST), Nara, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 51  号： 10,Issue 2  ページ： 10NA15.1-10NA15.4  発行年： 2012年10月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： レーザードーピング(LD)は,空気環境においてそして室温で作用するために,低費用そして高い処理量でエミッターを形成するのに役立つことができる。さらに,LDは,選択領域上で不純物を融解しそして拡散させることにより非常に単純な方法で高効率構造を作製する。本研究では,多結晶シリコン(mc-Si)の表面条件と電気的性質間の関係の評価を行なった。結果は,表面の電気的性質が改善され,変換効率が増大することを示した。LD前に表面エッチングおよび真空処理により表面条件を粗い状態から滑らかな状態に変化させることでこれを達成した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ケイ素 ,  *太陽電池 ,  *フォトドーピング ,  レーザ照射 ,  ポリシリコン ,  リン化合物 ,  ケイ酸塩ガラス ,  電流電圧特性 ,  *エッチング ,  真空処理
準シソーラス用語： レーザドーピング ,  結晶シリコン太陽電池 ,  リンケイ酸ガラス

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  太陽電池  (NC03084O)

引用文献 (26件)：

• 1) K. Hirata, A. Ogane, T. Saitoh, A. Kitiyanan, E. Sugimura, and T. Fuyuki: Proc. 24th European Photovoltaic Solar Energy Conf., 2009,p.1708.
• 2) T. Akane, T. Nii, and S. Matsumoto: Jpn. J. Appl. Phys. 31(1992)4437.
• 3) S.J. Eisele, T.C. Röder, J.R. Köhler, and J.H. Werner: Appl. Phys. Lett. 95(2009)133501.
• 4) A. Esturo-Breton, M. Ametowobla, J.R. Kohler, and J.H. Werner: Proc. 20th European Photovoltaic Solar Energy Conf., 2005,p.851.
• 5) B. Paviet-Salomon, S. Gall, R. Molina, S. Manuel, and A. Slaoui: Sol. Energy Mater. Sol. Cells 95(2011)2536.

タイトルに関連する用語 (3件)： 表面粗さ ,  電子 ,  性質