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J-GLOBAL ID：201202226212498039   整理番号：12A0416614

異種シリコン基板におけるドープ3C-SiCのラマン特性化とC/Si比

Raman characterization of doped 3C-SiC/Si for different silicon substrates and C/Si ratios

著者 (9件)： PILUSO N. (IMM-CNR, Catania, ITA) ,  SEVERINO A. (IMM-CNR, Catania, ITA) ,  CAMARDA M. (IMM-CNR, Catania, ITA) ,  ANZALONE R. (IMM-CNR, Catania, ITA) ,  CANINO A. (IMM-CNR, Catania, ITA) ,  CANINO A. (Epitaxial Techn. Center, Catania, ITA) ,  CONDORELLI G. (Epitaxial Techn. Center, Catania, ITA) ,  ABBONDANZA G. (Epitaxial Techn. Center, Catania, ITA) ,  LA VIA F. (IMM-CNR, Catania, ITA)
資料名： Materials Science Forum  (Materials Science Forum)
巻： 645/648  号： Pt.1  ページ： 255-258  発行年： 2010年 
JST資料番号： D0716B  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (5件)： シリコン基板 ,  ドープ ,  3C-SiC ,  特性化 ,  SI比