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J-GLOBAL ID:201202226278030402   整理番号:12A1367535

周期的なアニーリングの間のZnTe/Si(211)およびGaAs(211)におけるCdTeバッファ層表面の進化に関する理解

Understanding the Evolution of CdTe Buffer Layer Surfaces on ZnTe/Si(211) and GaAs(211)B During Cyclic Annealing
著者 (8件):
資料名:
巻: 41  号: 10  ページ: 2975-2980  発行年: 2012年10月 
JST資料番号: D0277B  ISSN: 0361-5235  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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著者らは,日常的な熱サイクルアニーリング(TCA)プロセスの間に,ZnTe/Si(211)およびGaAs(211)において成長したCdTeバッファ層表面に生じる変化の,詳細研究の結果について述べた。観察により,TCAがTeの過剰圧の下で行われる場合には,CdTeバッファ層表面は,Teで飽和することを明らかにした。TCA工程の間にTeフラックスが存在しないと,CdTe表面はそれに合せてCdTeを失い,典型的なCdTeのナノワイヤは,その表面にノジュールを現わす。TCAの間に,反射高エネルギー電子回折パターンについて観察される変化を,表面化学とトポグラフィー観察の観点から説明した。全体として,Teの過剰圧は,より平滑な初期の表面を維持して,分子ビームエピタクシー(MBE)成長を継続するために必要である。Copyright 2012 TMS (outside the USA) Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (3件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
薄膜成長技術・装置  ,  半導体薄膜  ,  有機第11族・有機第12族元素化合物 

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