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J-GLOBAL ID：201202227417042891   整理番号：12A1598060

ナノ構造における効率的な電場増強の光近接場分布

Distributing the Optical Near-Field for Efficient Field-Enhancements in Nanostructures

著者 (17件)： VALEV V. K. (Katholieke Universiteit Leuven, BEL) ,  DE CLERCQ B. (transnational Univ. Limburg, Diepenbeek, BEL) ,  BIRIS C. G. (Univ. Coll. London, London, GBR) ,  ZHENG X. (Katholieke Universiteit Leuven, BEL) ,  VANDENDRIESSCHE S. (Katholieke Universiteit Leuven, BEL) ,  HOJEIJ M. (Paul Scherrer Inst., Villigen, CHE) ,  DENKOVA D. (Katholieke Universiteit Leuven, BEL) ,  JEYARAM Y. (Katholieke Universiteit Leuven, BEL) ,  PANOIU N. C. (Univ. Coll. London, London, GBR) ,  EKINCI Y. (Paul Scherrer Inst., Villigen, CHE) ,  EKINCI Y. (ETH Zurich, Zurich, CHE) ,  SILHANEK A. V. (Univ. Liege, Sart Tilman, BEL) ,  VOLSKIY V. (Katholieke Universiteit Leuven, BEL) ,  VANDENBOSCH G. A. E. (Katholieke Universiteit Leuven, BEL) ,  AMELOOT M. (transnational Univ. Limburg, Diepenbeek, BEL) ,  MOSHCHALKOV V. V. (Katholieke Universiteit Leuven, BEL) ,  VERBIEST T. (Katholieke Universiteit Leuven, BEL)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 24  号： 35  ページ： OP208-OP215  発行年： 2012年09月11日 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化ケイ素(100nm)/ケイ素(001)基板表面に電子線リソグラフィーにより金薄膜(30nm)の四角枠アレイパターンを形成した。直線偏光および円偏光の近接場分布を計算機シミュレーションにより算出し,第二高調波発生顕微鏡により観測した。反射/透過スペクトルの計算結果を実測値と比較した。近接場増強効果がパターン全面に均一に分布し,吸着分子との相互作用が最大化されると結論した。

シソーラス用語： 酸化ケイ素 ,  ケイ素 ,  電子ビームリソグラフィー ,  *金 ,  薄膜 ,  *パターン形成 ,  直線偏光 ,  円偏光 ,  *近接場 ,  *分布 ,  ナノ構造 ,  スペクトル ,  計算機シミュレーション ,  第二高調波発生
準シソーラス用語： 電子線リソグラフィー ,  *電場分布 ,  透過スペクトル

分類 (4件)： 分析機器  (CC02020S) ,  顕微鏡法  (BK01040E) ,  固体の表面構造一般  (BK15010E) ,  計算機シミュレーション  (JE11000H)

タイトルに関連する用語 (5件)： ナノ構造 ,  電場 ,  増強 ,  近接場 ,  分布