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J-GLOBAL ID：201202227656511771   整理番号：12A0783898

AlドープZnO膜の熱物理および電気的性質

Thermophysical and electrical properties of Al-doped ZnO films

著者 (6件)： OKA Nobuto (Graduate School of Sci. and Engineering, Aoyama Gakuin Univ., 5-10-1 Fuchinobe, Chuo, Sagamihara, Kanagawa 252-5258, JPN) ,  KIMURA Kentaro (Graduate School of Sci. and Engineering, Aoyama Gakuin Univ., 5-10-1 Fuchinobe, Chuo, Sagamihara, Kanagawa 252-5258, JPN) ,  YAGI Takashi (National Metrology Inst. of Japan, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Tsukuba central 3 ...) ,  TAKETOSHI Naoyuki (National Metrology Inst. of Japan, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Tsukuba central 3 ...) ,  BABA Tetsuya (National Metrology Inst. of Japan, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Tsukuba central 3 ...) ,  SHIGESATO Yuzo (Graduate School of Sci. and Engineering, Aoyama Gakuin Univ., 5-10-1 Fuchinobe, Chuo, Sagamihara, Kanagawa 252-5258, JPN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 111  号： 9  ページ： 093701-093701-5  発行年： 2012年05月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 「背後加熱/表面検出型」ナノ秒熱反射系を用いて,厚み200nmのAlドープZnO(AZO)膜の熱拡散率を定量的に解析した。AZO膜とMo/AZO/Mo三層膜を,高密度セラミックZnO-Al₂O₃(Al₂O₃:2.5wt%)とMoターゲットを使った直流マグネトロンスパッタリングで,合成シリカ上に作った。堆積したAZO膜の熱拡散係数と電気抵抗率は1.8×10^-6~2.4×10^-6m²s^-1と2.3×10^-3~5.9×10^-4Ωmの範囲にあった。熱拡散係数に関連した熱伝導率はZnOとAl₂O₃粉体から作ったAZOセラミックのそれより一桁小さかったが,ほぼ同じ電気伝導率の酸化インジウムスズ透明導電酸化物(TCO)膜のそれよりは大きかった。AZOは従って透熱材TCO回路に適していると考える。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *熱反射 ,  *アルミニウム ,  *酸化亜鉛 ,  *温度伝導率 ,  *モリブデン ,  *アルミナ ,  マグネトロンスパッタリング ,  *電気抵抗率 ,  熱伝導率 ,  透明導電膜 ,  *ドーピング ,  拡散係数 ,  酸化インジウムスズ ,  多層膜 ,  二酸化ケイ素
準シソーラス用語： シリカ ,  *熱拡散率 ,  熱拡散係数

分類 (2件)： 非金属のその他の熱的性質  (BL05040J) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (3件)： AlドープZnO ,  物理 ,  電気的性質