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J-GLOBAL ID：201202227795221427   整理番号：12A0993923

表面化学によるシリコンナノワイヤの成長方位の制御

Controlling Silicon Nanowire Growth Direction via Surface Chemistry

著者 (2件)： SHIN Naechul (Georgia Inst. of Technol., Georgia, USA) ,  FILLER Michael A. (Georgia Inst. of Technol., Georgia, USA)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 12  号： 6  ページ： 2865-2870  発行年： 2012年06月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最初に,半導体ナノワイヤのVLS成長のその場化学研究を報告し,次に重要であり,以前認識されていない,三相線近傍の過渡的な表面化学の役割を明らかにする。実時間赤外分光測定と成長後の電子顕微鏡観察によれば,<111>から<112>への成長方位遷移は共有結合した水素原子に因るのであり,Siナノワイヤ成長の間,普通に観測される。この発見は,良く知られたナノワイヤ成長現象の原因についての知見を与え,これらのナノスケール半導体の結晶構造を合理的に工作する新しい途を拓いた。

シソーラス用語： *VLS成長 ,  *ナノワイヤ ,  結晶成長 ,  線 ,  過渡現象 ,  *界面化学 ,  赤外分光法 ,  電子顕微鏡観察 ,  原子 ,  変化
準シソーラス用語： *シリコンナノワイヤ ,  三相線 ,  *蒸気-液体-固体成長 ,  水素原子 ,  *成長方位遷移 ,  *表面化学

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  界面化学一般  (CB12010J)

タイトルに関連する用語 (3件)： 表面化学 ,  シリコンナノワイヤ ,  成長方位