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J-GLOBAL ID：201202227915901362   整理番号：12A0238092

溶液プロセスにより製作した亜鉛-スズ-酸化膜薄膜トランジスタの動作安定性に対する亜鉛/スズ組成比の影響

Effect of Zinc/Tin Composition Ratio on the Operational Stability of Solution-Processed Zinc-Tin-Oxide Thin-Film Transistors

著者 (3件)： KIM Yong-Hoon (Korea Electronics Technol. Inst., Seongnam, KOR) ,  HAN Jeong-In (Dongguk Univ., Seoul, KOR) ,  PARK Sung Kyu (Chung-Ang Univ., Seoul, KOR)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 33  号： 1  ページ： 50-52  発行年： 2012年01月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近,溶液プロセスによる金属ドープZnO TFTsが報告された。しかし,動作安定性については報告されていない。本稿では,溶液プロセスにより製作した亜鉛-スズ-酸化膜(ZTO)薄膜トランジスタ(TFTs)の動作安定性に対するZn/Sn組成比の影響を調べた。Sn含有量の過剰と不足,金属成分の酸化電位が,ゲートバイアスストレス下での閾値電圧シフトの大きな変化に影響を与えることが分かった。ZTO薄膜中のZn/Sn原子比の最適化によりデバイス性能を改良することができる。

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  動的安定性 ,  工程 ,  *湿式法 ,  電圧 ,  酸化還元電位 ,  依存性 ,  比率 ,  *化学組成
準シソーラス用語： 原子比 ,  酸化電位 ,  湿式プロセス ,  組成依存性 ,  閾値電圧

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： 溶液 ,  プロセス ,  製作 ,  亜鉛 ,  スズ ,  酸化膜 ,  薄膜トランジスタ ,  動作安定性 ,  組成比