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J-GLOBAL ID：201202227982335860   整理番号：12A0802585

In組成の異なるInAlN/GaNによって構成されるヘテロ構造中の二次元電子ガスからのルミネセンス

Luminescence from two-dimensional electron gases in InAlN/GaN heterostructures with different In content

著者 (9件)： ROMERO M. F. (Inst. fuer Experimentelle Physik, Otto-von-Guericke-Universitaet Magdeburg, 39106 Magdeburg, DEU) ,  FENEBERG M. (Inst. fuer Experimentelle Physik, Otto-von-Guericke-Universitaet Magdeburg, 39106 Magdeburg, DEU) ,  MOSER P. (Inst. fuer Experimentelle Physik, Otto-von-Guericke-Universitaet Magdeburg, 39106 Magdeburg, DEU) ,  BERGER C. (Inst. fuer Experimentelle Physik, Otto-von-Guericke-Universitaet Magdeburg, 39106 Magdeburg, DEU) ,  BLAESING J. (Inst. fuer Experimentelle Physik, Otto-von-Guericke-Universitaet Magdeburg, 39106 Magdeburg, DEU) ,  DADGAR A. (Inst. fuer Experimentelle Physik, Otto-von-Guericke-Universitaet Magdeburg, 39106 Magdeburg, DEU) ,  KROST A. (Inst. fuer Experimentelle Physik, Otto-von-Guericke-Universitaet Magdeburg, 39106 Magdeburg, DEU) ,  SAKALAUSKAS E. (Inst. fuer Physik, Technische Universitaet Ilmenau, PF100565, 98684 Ilmenau, DEU) ,  GOLDHAHN R. (Inst. fuer Experimentelle Physik, Otto-von-Guericke-Universitaet Magdeburg, 39106 Magdeburg, DEU)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 21  ページ： 212101-212101-4  発行年： 2012年05月21日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： In_xAl_1-xN/GaNから成るヘテロ構造のルミネセンス特性を,Inの組成比x(x=0.067~0.208)の関数として系統的に研究した。二次元電子ガス内に閉じ込められた電子とGaNのテンプレート内の自由正孔との再結合を同定し,そして解析した。Inの組成比xが増すと,再結合はGaN中における励起子発光の下80meVから僅か数meVまで,系統的にシフトすることが分かった。得られた結果をモデル計算と比較し,ルミネセンスの特性はバンドプロフィルの変化およびInAlNとGaNの間の分極勾配に帰着することが分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *アルミニウム化合物 ,  *インジウム化合物 ,  *窒化物 ,  *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  ヘテロ接合 ,  *二次元電子ガス ,  光ルミネセンス ,  紫外発光スペクトル ,  キャリア再結合 ,  発光 ,  励起子 ,  濃度依存性 ,  遷移エネルギー
準シソーラス用語： *窒化アルミニウムインジウム ,  励起子発光

分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (6件)： 組成 ,  InAlN ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  二次元電子ガス ,  ルミネセンス