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J-GLOBAL ID：201202228175981487   整理番号：12A0611026

非晶質状態にあるニオビウムのドープされた酸化チタンの半導体的挙動

Semiconducting behavior of niobium-doped titanium oxide in the amorphous state

著者 (7件)： OK Kyung-chul (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Dankook Univ., Mt. 29, Anseo-Dong, Cheonan 330-714, KOR) ,  PARK Joseph (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Dankook Univ., Mt. 29, Anseo-Dong, Cheonan 330-714, KOR) ,  HO LEE Ju (Dep. of Materials Sci. and Engineering, KAIST, 335 Gwahangno, Yuseong-gu, Daejeon 305-701, KOR) ,  DU AHN Byung (LCD R&D Center, Samsung Electronics Co. LTD, Yongin 446-711, KOR) ,  HUN LEE Je (LCD R&D Center, Samsung Electronics Co. LTD, Yongin 446-711, KOR) ,  CHUNG Kwun-bum (Dep. of Physics, Dankook Univ., Mt. 29, Anseo-Dong, Cheonan 330-714, KOR) ,  PARK Jin-seong (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Dankook Univ., Mt. 29, Anseo-Dong, Cheonan 330-714, KOR)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 14  ページ： 142103-142103-3  発行年： 2012年04月02日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Nbのドープされた酸化チタニウム薄膜の電気的特性に対するアニーリング温度の効果に注目して特性を評価した。450°Cまでは非晶質相が保持されるけれども,x線吸収分光法による解析から,伝導帯に関する結晶場分裂はこの温度で始まることが分かった。このような分子軌道秩序化効果によって半導体的な特性が誘起され,その特性は0.64cm²/Vsという大きな電界効果移動度を持つ薄膜トランジスタ素子の動作によって確認された。x線光電子分光法による研究から,試料を熱処理するとNb⁺⁵状態が大幅に増大し,これらは自由電子を生み出す酸素欠損状態に起因することが分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化チタン ,  *ドーピング ,  ニオブ ,  *半導体 ,  半導体薄膜 ,  焼なまし ,  温度依存性 ,  X線吸収スペクトル ,  伝導バンド ,  スペクトル線分裂 ,  規則化 ,  分子軌道関数 ,  キャリア移動度 ,  薄膜トランジスタ ,  X線光電子スペクトル ,  欠陥準位 ,  空格子点 ,  酸素 ,  *非晶質半導体
準シソーラス用語： 軌道秩序化 ,  結晶場分裂 ,  電界効果移動度

分類 (2件)： 非晶質・液体半導体の電気伝導  (BM03042G) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 非晶質状態 ,  ニオビウム ,  ドープ ,  酸化チタン ,  挙動