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J-GLOBAL ID：201202228274199189   整理番号：12A0345236

フォトニック結晶シリコン光変調器:10Gb/sにおけるキャリア注入と空乏

Photonic Crystal Silicon Optical Modulators: Carrier-Injection and Depletion at 10Gb/s

著者 (5件)： NGUYEN Hong C. (Yokohama National Univ., Yokohama, JPN) ,  SAKAI Yuya (Yokohama National Univ., Yokohama, JPN) ,  SHINKAWA Mizuki (Yokohama National Univ., Yokohama, JPN) ,  ISHIKURA Norihiro (Yokohama National Univ., Yokohama, JPN) ,  BABA Toshihiko (Yokohama National Univ., Yokohama, JPN)
資料名： IEEE Journal of Quantum Electronics  (IEEE Journal of Quantum Electronics)
巻： 48  号： 1-2  ページ： 210-220  発行年： 2012年01月 
JST資料番号： H0432A  ISSN： 0018-9197  CODEN： IEJQA7  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 200μm長のPCW-MZI(フォトニック結晶導波路-Mach-Zehnder干渉計)における,10Gb/sのキャリア注入,空乏両モード変調を実証した。プリエンファシスを伴う注入モード変調のより詳細な解析を行った。また,200μm MZIデバイスにおける高速空乏モード変調も実証し,プリエンファシスは必要ないが,適度の強度では効果的であることを見いだした。たとえば,p-nドーピングプロファイルを低速光モードプロファイルに最適化して,変調効率を増加することにより,更なるデバイス性能の改善を期待している。

シソーラス用語： *光変調素子 ,  *キャリア注入 ,  *光導波路 ,  Mach-Zehnder干渉計 ,  不純物分布 ,  オプトエレクトロニクス
準シソーラス用語： シリコンフォトニクス ,  ドーピングプロファイル ,  *フォトニック結晶導波路 ,  プリエンファシス ,  *光変調器 ,  低速光

分類 (3件)： 光変調器  (BD06020W) ,  光導波路,光ファイバ,繊維光学  (BD06030H) ,  非線形光学  (BD05000T)

タイトルに関連する用語 (4件)： フォトニック結晶 ,  シリコン ,  光変調器 ,  キャリア注入