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J-GLOBAL ID：201202228284002936   整理番号：12A1439330

ウィグリング(wiggling)耐性の高いスピンオンカーボンハードマスク

Spin-on-Carbon-Hardmask with high wiggling resistance

著者 (7件)： SOMEYA Yasunobu (Nissan Chemical Ind., Ltd., Toyama, JPN) ,  SHINJO Tetsuya (Nissan Chemical Ind., Ltd., Toyama, JPN) ,  HASHIMOTO Keisuke (Nissan Chemical Ind., Ltd., Toyama, JPN) ,  NISHIMAKI Hirokazu (Nissan Chemical Ind., Ltd., Toyama, JPN) ,  KARASAWA Ryo (Nissan Chemical Ind., Ltd., Toyama, JPN) ,  SAKAMOTO Rikimaru (Nissan Chemical Ind., Ltd., Toyama, JPN) ,  MATSUMOTO Takashi (Nissan Chemical Ind., Ltd., Toyama, JPN)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 8325  ページ： 83250U.1-83250U.6  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フォトレジスト/シリコン含有ハードマスク(Si-HM)/スピンオンカーボンハードマスク(SOC)の多層プロセスでSOCは基板エッチングで重要な役目がある。SOCマスクは低コストで平坦化特性が良いがCVDカーボンのハードマスクよりもエッチング特性が悪く,ウイグリングと称するパターン変形をもたらす。SOCハードマスクにはウイグリング耐性が求められている。ウイグリング耐性は低水素含有量,膜の硬さ,膜モジュラス,カーボン含有量に依存することが分かった。特に,水素濃度と膜の硬さがウィグリング耐性改善のためのキ-ファクタである。

シソーラス用語： 半導体プロセス ,  *フォトリソグラフィー ,  エッチング ,  マスク ,  フォトレジスト ,  多層 ,  濃度 ,  炭素 ,  含有量 ,  パターン形成 ,  変形 ,  *パターン転写
準シソーラス用語： アンダーレイヤー ,  *ウィグリング ,  カーボン ,  *スピンオンカーボン ,  ハードマスク ,  水素濃度

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (1件)： 耐性