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J-GLOBAL ID：201202228339255782   整理番号：12A0929727

ウエハレベル反りおよび応力モデリング方法論の開発およびTSVウエハに対するプロセス最適化におけるその応用

Development of Wafer-Level Warpage and Stress Modeling Methodology and Its Application in Process Optimization for TSV Wafers

著者 (5件)： CHE Faxing (Agency for Sci., Technol. and Res., Singapore) ,  LI Hongyu Y. (Agency for Sci., Technol. and Res., Singapore) ,  ZHANG Xiaowu (Agency for Sci., Technol. and Res., Singapore) ,  GAO Shan (Agency for Sci., Technol. and Res., Singapore) ,  TEO Kenghwa H. (Agency for Sci., Technol. and Res., Singapore)
資料名： IEEE Transactions on Components, Packaging, and Manufacturing Technology  (IEEE Transactions on Components, Packaging, and Manufacturing Technology)
巻： 2  号： 5/6  ページ： 944-955  発行年： 2012年05月 
JST資料番号： W0590B  ISSN： 2156-3950  CODEN： ITCPC8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 3次元電子回路パッケージ集積におけるTSV技術で,ウエハレベル反りの低減は,重要課題である。本論文では,TSVプロセス最適化およびウエハ反り特性評価を検討し,ウエハレベルFEAモデリング方法論を開発しパラメータ研究により数値的実験的に検証した。TSVの実効機械的特性を,実TSV構造および実効モデル双方に対して同じ変形応答を考察して決定した。FEAシミュレーション結果は,ウエハ反りデータと一致し,その誤差は15%以内であった。アニール前にCMPを行うことにより銅のオーバーバーデンを完全に除去するTSV最適化プロセスによりアニール誘起ウエハ反りを低減した。低アニール温度により温度変化によるウエハ反りおよび応力を低減した。TSVピッチが一定のとき,小ビア径のTSVウエハの反りが小さかった。

シソーラス用語： ウエハ【IC】 ,  *反り ,  応力 ,  モデリング ,  バイアホール ,  *有限要素法 ,  変形 ,  焼なまし ,  銅 ,  *化学機械研磨
準シソーラス用語： *CMP【化学研磨】 ,  FEA【要素法】 ,  Si貫通ビア ,  *TSV【配線】 ,  アニール ,  パッケージ ,  プロセス最適化

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (10件)： ウエハレベル ,  反り ,  応力 ,  モデリング ,  方法論 ,  開発 ,  TSV ,  ウエハ ,  プロセス最適化 ,  応用