文献

J-GLOBAL ID：201202228360690928   整理番号：12A0675028

C₆₀⁺スパッタリングを用いる正二次イオンの劇的に増強された酸素取込及びイオン化収率

Dramatically Enhanced Oxygen Uptake and Ionization Yield of Positive Secondary Ions with C₆₀⁺ Sputtering

著者 (7件)： LIAO Hua-Yang (Academia Sinica, Tapei, TWN) ,  TSAI Meng-Hung (Nation Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  YOU Yun-Wen (Academia Sinica, Tapei, TWN) ,  CHANG Hsun-Yun (Academia Sinica, Tapei, TWN) ,  HUANG Chih-Chieh (Nation Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  SHYUE Jing-Jong (Academia Sinica, Tapei, TWN) ,  SHYUE Jing-Jong (Nation Taiwan Univ., Taipei, TWN)
資料名： Analytical Chemistry  (Analytical Chemistry)
巻： 84  号： 7  ページ： 3355-3361  発行年： 2012年04月03日 
JST資料番号： A0395A  ISSN： 0003-2700  CODEN： ANCHAM  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機材料の深さプロファイルを得るためのX線光電子分光計,二次イオン質量分析計,走査プローブ顕微鏡など表面分析装置においてバックミンスターフラーレン(C₆₀⁺)ベースのイオン銃が使用されている。スパッタリング源としてのC₆₀⁺はより大きな分子フラグメントを産出し,Ar⁺,Ga⁺などに比べて表面の損傷が小さい。本研究ではX線光電子分光法及び二次イオン質量分析によってC₆₀⁺スパッタリング中及びスパッタリング後に金属の表面を調べた。その結果,C₆₀⁺スパッタリング過程でのX線光電子分光スペクトルから,炭素析出程度が種々の金属表面において異なることが分かった。さらにAl,W,Ta,Ti,Moなどでは,O1s光電子の強度がC₆₀⁺スパッタリング中に著しく増加するが,このことはC₆₀⁺スパッタリング速度よりも酸素取込速度が大きいことを示すものであった。表面不動態化によって酸素が二次イオン収率を強化するので,C₆₀⁺スパッタリングによって増強された酸素取込量は二次イオン質量分析に有利とみられる。このことを調べるため,一次イオンとしてC₆₀⁺及びAr⁺を用いたところ,Ar⁺よりもC₆₀⁺において強度増強が大きいことが分かった。

シソーラス用語： *X線光電子分光法 ,  *二次イオン質量分析 ,  *フラーレンC60 ,  *スパッタリング ,  *酸素 ,  *取込 ,  *二次イオン ,  *イオン化 ,  深さプロフィル ,  深さ分析 ,  表面 ,  金属元素 ,  酸素消費 ,  光電子 ,  スペクトル解析 ,  不動態化 ,  アルゴン ,  強度 ,  時間依存性 ,  結合エネルギー ,  析出 ,  検出限界
準シソーラス用語： *バックミンスターフラーレン ,  金属表面 ,  炭素析出 ,  表面不動態化

分類 (3件)： 物理分析一般  (CC03011F) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  スパッタリング  (BK16110U)

タイトルに関連する用語 (7件)： スパッタリング ,  二次イオン ,  増強 ,  酸素 ,  取込 ,  イオン化 ,  収率