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J-GLOBAL ID：201202228362828633   整理番号：12A0870934

両極性nおよびpチャネルセルの多層Schottky障壁ナノワイヤSONOSメモリ

Multilevel Schottky Barrier Nanowire SONOS Memory With Ambipolar n- and p-Channel Cells

著者 (4件)： SHIH Chun-Hsing (National Chi Nan Univ., Nantou, TWN) ,  CHANG Wei (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  WU Wen-Fa (National Nano Device Lab., Hsinchu, TWN) ,  LIEN Chenhsin (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 59  号： 6  ページ： 1614-1620  発行年： 2012年06月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 不純物ドープのソース/ドレインと異なり,Schottky障壁セルはゲート電圧の関数として両極性伝導を示す。両極性伝導とSchottky障壁に関連するホットキャリア発生を使った,nまたはpチャネルセルで動作する低電圧ナノワイヤSONOSメモリを記す。nチャネルセルは多層電子プログラミングを使って5~7Vの低ゲート電圧で動作し,pチャネルセルは多層ホールプログラミングで-7~-11Vの低ゲート電圧で動作する。nチャネルセル内の電子とホールキャリアの働きは,両極性伝導のためにpチャネルでナノワイヤセル内で交換される。nおよびpチャネル多層Schottky障壁ナノワイヤSONOSセルは埋め込みまたは単一の不揮発性メモリに使える充分な熱的リテンションとサイクリング耐性を有している。

シソーラス用語： 極性 ,  *Schottky障壁 ,  *ナノワイヤ ,  不揮発性メモリ ,  電圧 ,  電流電圧特性 ,  信頼性 ,  保持時間
準シソーラス用語： *SONOSメモリ ,  ゲート電圧 ,  シリコンナノワイヤ ,  リテンションタイム ,  両極性 ,  閾値電圧

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (7件)： 両極性 ,  チャネル ,  セル ,  多層 ,  Schottky障壁 ,  ナノワイヤ ,  SONOSメモリ