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J-GLOBAL ID：201202228427500410   整理番号：12A0549318

Cuのソース/ドレイン電極を備えたa-InGaZnOを基本とする薄膜トランジスタの電気的特性評価

Electrical characterization of a-InGaZnO thin-film transistors with Cu source/drain electrodes

著者 (4件)： JEONG Jaewook (Div. of Nano and Bio Technol., Daegu Gyeongbuk Inst. of Sci. and Technol., Daegu, KOR) ,  JUN LEE Gwang (Div. of Nano and Bio Technol., Daegu Gyeongbuk Inst. of Sci. and Technol., Daegu, KOR) ,  KIM Joonwoo (Div. of Nano and Bio Technol., Daegu Gyeongbuk Inst. of Sci. and Technol., Daegu, KOR) ,  CHOI Byeongdae (Div. of Nano and Bio Technol., Daegu Gyeongbuk Inst. of Sci. and Technol., Daegu, KOR)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 11  ページ： 112109-112109-4  発行年： 2012年03月12日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： a-InGaZnO(a-IGZO)を基本とする薄膜トランジスタ(TFT)の性能に対するCuのソース/ドレイン(S/D)電極の効果を解析した結果を報告する。Cuのマイグレーションのために,小さい電流伝達長とともに寄生抵抗は10Ωcm以下であることが分かった。素子の伝達特性から,V_DSに依存するCuのマイグレーション効果によってサブバンドギャップ領域にドナー型の深い状態とバンド端状態が導入されることが分かった。インバータ回路を用いたa-IGZOを基本とするTFTにCuのS/D電極を応用する有用性が確認されたので,Cuのエレクトロマイグレーションを制御することによって,高性能の回路の作製が可能であることが明らかになった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *化合物半導体 ,  酸化物 ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  亜鉛化合物 ,  半導体薄膜 ,  *薄膜トランジスタ ,  銅 ,  電極 ,  ドレイン【半導体】 ,  ソース【半導体】 ,  電気抵抗 ,  伝送特性 ,  ドナー ,  深い準位 ,  *エレクトロマイグレーション ,  インバータ
準シソーラス用語： *IGZO【半導体】 ,  寄生抵抗

分類 (2件)： 固体中の拡散一般  (BL06021L) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： Cu ,  ソース ,  ドレイン ,  薄膜トランジスタ ,  電気的特性 ,  評価