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J-GLOBAL ID：201202228563668626   整理番号：12A0734500

拡散障壁を用いたケイ化プラチナ/ケイ素接触構造の周波数依存性誘電性と電気伝導率

Frequency dependent dielectric properties and electrical conductivity of platinum silicide/Si contact structures with diffusion barrier

著者 (4件)： AFANDIYEVA I.M. (Baku State Univ., Baku, AZE) ,  BULBUL M.M. (Gazi Univ., Ankara, TUR) ,  ALTINDAL S. (Gazi Univ., Ankara, TUR) ,  BENGI S. (Gazi Univ., Ankara, TUR)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 93  ページ： 50-55  発行年： 2012年05月 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (7件)： 拡散障壁 ,  ケイ化 ,  プラチナ ,  ケイ素 ,  周波数依存性 ,  誘電性 ,  電気伝導率