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J-GLOBAL ID：201202228634391531   整理番号：12A0768151

30μmの活性層,多孔質シリコン後部リフレクタ,およびCuに基づくトップ接触メタライゼーションを備えた>16%の薄膜エピタキシャル成長シリコン太陽電池

>16% thin-film epitaxial silicon solar cells on 70-cm² area with 30-μm active layer, porous silicon back reflector, and Cu-based top-contact metallization

著者 (7件)： KUZMA-FILIPEK Izabela (IMEC vzw, Heverlee, BEL) ,  DROSS Frederic (IMEC vzw, Heverlee, BEL) ,  BAERT Kris (IMEC vzw, Heverlee, BEL) ,  HERNANDEZ Jose Luis (IMEC vzw, Heverlee, BEL) ,  SINGH Sukhvinder (IMEC vzw, Heverlee, BEL) ,  VAN NIEUWENHUYSEN Kris (IMEC vzw, Heverlee, BEL) ,  POORTMANS Jef (IMEC vzw, Heverlee, BEL)
資料名： Progress in Photovoltaics  (Progress in Photovoltaics)
巻： 20  号： 3  ページ： 350-355  発行年： 2012年05月 
JST資料番号： W0463A  ISSN： 1062-7995  CODEN： PPHOED  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らは,後部化学気相成長法エミッタと通常のPOCl₃エミッタを備えた薄膜エピタキシャルシリコンウェハ等価(EpiWE)太陽電池の特定の応用に対する銅に基づくメタライゼーションの利用を実証した。薄膜エピタキシャルシリコンウェハは,僅か30μmの高品質エピタキシャル活性層から成り,この層の下には,高反射多孔質シリコン多層積層が埋め込まれている。Cuメッキメタライゼーションと狭いフィンガーラインを,多孔質シリコンリフレクタを含むエピタキシャル電池構造と組み合わせることで,32mA/cm²を越えるJ_scが達成された。著者らは,エミッタとCuコンタクトの後部エピタキシャル化学蒸着による>70cm²の電池について,再現可能な>16%の電池構造を報告した。Cuに基づくメッキとエピタキシャル太陽電池の適合性が実証され,さらに,エミッタがメタライゼーションの要求に注意深く調整される更なる最適化の道が開かれた。

シソーラス用語： *多孔質シリコン ,  *反射体 ,  エピタクシー ,  *太陽電池 ,  半導体薄膜 ,  金属薄膜 ,  銅めっき ,  活性層 ,  銅 ,  メタライゼーション ,  化学蒸着 ,  エミッタ【半導体】 ,  塩化ホスホリル ,  ウエハ【IC】 ,  多層膜 ,  接触 ,  再現性 ,  量子効率
準シソーラス用語： Cu ,  エピタキシャル成長 ,  コンタクト ,  シリコンウエハ ,  *シリコン太陽電池 ,  *レフレクタ ,  化学気相成長法 ,  三塩化ホスホリル ,  内部量子効率 ,  薄膜ソーラセル

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (10件)： 活性層 ,  多孔質シリコン ,  後部 ,  リフレクタ ,  Cu ,  トップ ,  メタライゼーション ,  薄膜 ,  エピタキシャル成長 ,  シリコン太陽電池