文献

J-GLOBAL ID：201202228866979152   整理番号：12A0867551

銅の高パワーインパルスマグネトロンスパッタリングにターゲットパワー密度が及ぼす影響

Effect of the target power density on high-power impulse magnetron sputtering of copper

著者 (1件)： KOZAK Tomas (Univ. West Bohemia, Plzen, CZE)
資料名： Plasma Sources Science and Technology  (Plasma Sources Science and Technology)
巻： 21  号： 2  ページ： 025012,1-12  発行年： 2012年04月 
JST資料番号： W0479A  ISSN： 0963-0252  CODEN： PSTEEU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ターゲット直上の高密度環状領域とバルクプラズマ領域に分け,標記マグネトロンスパッタリング過程を粒子とエネルギーの保存則に基づいた非定常的グローバルモデルで解析する。これにより,時間平均的特性が支配的な過程と粒子束による輸送が重要な過程を分離して扱うことができる。実際の実験条件に対応したシステムにおいて,ターゲットパワー密度を高くした場合の効果を調べた。計算で求めたターゲット電流時間波形は長い定常的状態を示し,実験結果とよく一致する。ターゲットパワー密度が上昇すると,粒子密度はゆるやかに金属が支配的な放電プラズマに移行し,堆積する粒子束の電離度が上昇する。パルス中でパワー密度が500W/cm²を越えると,全金属イオン束の90%以上が基板に到達するようになる。

シソーラス用語： *マグネトロンスパッタリング ,  *輸送現象 ,  *プラズマシミュレーション ,  計算機シミュレーション ,  *金属イオン ,  薄膜成長 ,  堆積
準シソーラス用語： イオン束 ,  ターゲットパワー密度 ,  *高パワーインパルスマグネトロンスパッタリング

分類 (2件)： プラズマ応用  (BJ02110K) ,  プラズマ装置  (BJ02082I)

タイトルに関連する用語 (3件)： 銅 ,  ターゲット ,  パワー密度