P型ショットキー状Pt/Bi<sub>1-δ</sub>FeO<sub>3</sub>界面に観察された強誘電性抵抗スイッチング特性に対するBi欠損の影響

TSURUMAKI Atsushi; YAMADA Hiroyuki; SAWA Akihito

文献

J-GLOBAL ID：201202228925584760 整理番号：12A0757584

P型ショットキー状Pt/Bi_1-δFeO₃界面に観察された強誘電性抵抗スイッチング特性に対するBi欠損の影響

Impact of Bi Deficiencies on Ferroelectric Resistive Switching Characteristics Observed at p-Type Schottky-Like Pt/Bi_1-δFeO₃ Interfaces

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資料名：
巻： 22 号： 5 ページ： 1040-1047 発行年： 2012年03月07日
JST資料番号： W1336A ISSN： 1616-301X CODEN： AFMDC6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：ドイツ (DEU) 言語：英語 (EN)

フラッシュメモリーは微細化の限界を迎えつつあり,抵抗ランダムアクセスメモリーが代替技術として注目されている。本論文では,Pt/Bi_1-δFeO₃界面の抵抗スイッチングとその特性に与えるBi欠損の影響について報告する。Bi欠損型BiFeO₃はp型伝導を示す。その結果,Bi欠損量が大きくなるにつれ,界面のリーク電流が大きくなり,最終的に整流特性とI-V特性にヒステリシスが観察された。また,1kHzの電圧掃引周波数におけるI-V曲線に,強誘電変位電流に起因する正および負のピーク電流が観察された。Bi欠損量を制御することによりスイッチング速度とスイッチング比の改善が認められ,10⁵以上の耐久性と10⁵以上のデータ保存が確認された。

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固体デバイス材料 , 半導体-金属接触 , セラミック・陶磁器の製造

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P型ショットキー状Pt/Bi1-δFeO3界面に観察された強誘電性抵抗スイッチング特性に対するBi欠損の影響

P型ショットキー状Pt/Bi_1-δFeO₃界面に観察された強誘電性抵抗スイッチング特性に対するBi欠損の影響