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J-GLOBAL ID：201202228939278093   整理番号：12A1005987

トリクロロシラン(TCS)を用いた2°斜軸基板上の4H-SiCエピタキシャル成長

4H-SiC epitaxial growth on 2° off-axis substrates using trichlorosilane (TCS)

著者 (7件)： AIGO T. (Nippon Steel Corp., Chiba, JPN) ,  ITO W. (Nippon Steel Corp., Chiba, JPN) ,  TSUGE H. (Nippon Steel Corp., Chiba, JPN) ,  YASHIRO H. (Nippon Steel Corp., Chiba, JPN) ,  KATSUNO M. (Nippon Steel Corp., Chiba, JPN) ,  FUJIMOTO T. (Nippon Steel Corp., Chiba, JPN) ,  OHASHI W. (Nippon Steel Corp., Chiba, JPN)
資料名： Materials Science Forum  (Materials Science Forum)
巻： 717/720  号： Pt.1  ページ： 101-104  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0716B  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (4件)： トリクロロシラン ,  TCS ,  4H-SiC ,  エピタキシャル成長