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J-GLOBAL ID：201202229000516702   整理番号：12A1593579

InAlN/AlN/GaNヘテロ構造の成長に対する圧力の影響

The influence of pressure on the growth of InAlN/AlN/GaN heterostructure

著者 (9件)： BI Y. (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  WANG X. L. (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  WANG C. M. (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  LI J. P. (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  LIU H. X. (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  CHEN H. (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  XIAO H. L. (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  FENG C. (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  JIANG L. J. (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN)
資料名： European Physical Journal. Applied Physics  (European Physical Journal. Applied Physics)
巻： 57  号： 3  ページ： 30103,1-30103,5  発行年： 2012年03月 
JST資料番号： B0655C  ISSN： 1286-0042  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： フランス (FRA)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (5件)： InAlN ,  AlN ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  成長