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J-GLOBAL ID：201202229213103045   整理番号：12A1495438

量子分子動力学シミュレーションを用いたフルオロカーボンラジカルCF_xによるSiO₂エッチングプロセスのメカニズム解明

著者 (8件)： 伊藤寿 (東北大) ,  桑原卓哉 (東北大) ,  石川岳志 (東北大) ,  樋口祐次 (東北大) ,  尾澤伸樹 (東北大) ,  島崎智実 (東北大) ,  寒川誠二 (東北大) ,  久保百司 (東北大)
資料名： 触媒討論会討論会A予稿集  (触媒討論会(A)講演予稿集)
巻： 110th  ページ： 370  発行年： 2012年09月14日 
JST資料番号： S0874A  ISSN： 1343-9936  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本研究では,量子分子動力学法を用いてシリコン酸化膜のエッチングプロセスシミュレーションを行い,フルオロカーボンラジカル種によるエッチング挙動の違いに迫った。化学反応性の高いCF₂は低い照射エネルギーの場合にCF₃よりエッチングが進行するものの,高い照射エネルギーの場合はF原子の多いCF₃の方が,エッチング速度が速いことが分かった。(著者抄録)

シソーラス用語： *酸化ケイ素 ,  酸化膜 ,  *脂肪族フッ素化合物 ,  *エッチング ,  分子動力学 ,  量子論 ,  計算機シミュレーション ,  強束縛近似 ,  反応機構 ,  表面反応 ,  エネルギー依存性 ,  *ラジカル反応 ,  不均一系反応 ,  二酸化ケイ素
準シソーラス用語： *フルオロカーボン ,  界面反応 ,  分子動力学シミュレーション ,  量子分子動力学

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P)

タイトルに関連する用語 (6件)： 量子分子動力学 ,  シミュレーション ,  CFX ,  SiO2 ,  エッチングプロセス ,  メカニズム