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J-GLOBAL ID：201202229407453721   整理番号：12A1037270

HfO₂系抵抗スイッチング構造におけるフィラメント状電流パスの形成と特性評価

Formation and Characterization of Filamentary Current Paths in HfO₂-Based Resistive Switching Structures

著者 (4件)： PALUMBO F. (Consejo Nacional de Investigaciones Cientificas y Tecnicas-Comision Nacional de Energia Atomica (CONICET-CNEA), B A, A) ,  MIRANDA E. (Univ. Autonoma de Barcelona, Barcelona, ESP) ,  GHIBAUDO G. (MINATEC, Grenoble, FRA) ,  JOUSSEAUME V. (CEA-LETI, Grenoble, FRA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 33  号： 7  ページ： 1057-1059  発行年： 2012年07月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MIM構造における抵抗スイッチング(RS)現象は,不揮発性メモリデバイスへの適用の可能性があり注目されている。HfO₂は,標準CMOS技術への適合性があるためスイッチング材料として特に重要である。本稿では,電流駆動ストレス実験によりHfO₂系抵抗スイッチング構造におけるフィラメント状電流パスの形成を明らかにした。高抵抗状態(HRS)と低抵抗状態(LRS)間の転移は電子波動関数閉込め電位のゆるやかな変化で,フィラメント状電流パスの物理的サイズにリンクすると考えられる。この変化はセットスイープ中の荷電種または欠陥の動きによるものあるいはリセット過程におけるJoule加熱効果によるものと思われる。

シソーラス用語： *酸化ハフニウム ,  スイッチング ,  電気抵抗 ,  *MIM構造 ,  *不揮発性メモリ ,  波動関数 ,  抵抗加熱 ,  CMOS構造 ,  半導体プロセス ,  電圧 ,  絶縁破壊 ,  電流
準シソーラス用語： CMOSプロセス ,  Joule加熱 ,  ブレークダウン電圧 ,  リセット電流 ,  抵抗スイッチング

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： HfO2 ,  抵抗スイッチング ,  電流パス ,  特性評価